| 摘要 | 第1-14页 |
| ABSTRACT | 第14-19页 |
| 符号表 | 第19-21页 |
| 第一章 绪论 | 第21-43页 |
| §1.1 概述 | 第21-22页 |
| §1.2 Ga_2O_3材料的性质及其应用 | 第22-29页 |
| ·结构性质 | 第22-24页 |
| ·光学性质 | 第24-26页 |
| ·电学性质 | 第26-27页 |
| ·Ga_2O_3薄膜的应用 | 第27-29页 |
| §1.3 In_2O_3材料的性质及其应用 | 第29-32页 |
| ·结构性质 | 第29-30页 |
| ·光学性质 | 第30-31页 |
| ·电学性质 | 第31-32页 |
| ·In_2O_3薄膜的应用 | 第32页 |
| §1.4 薄膜的制备方法 | 第32-35页 |
| §1.5 Ga_2O_3-In_2O_3材料体系的研究进展 | 第35-37页 |
| §1.6 研究课题的选取 | 第37-39页 |
| 本章参考文献 | 第39-43页 |
| 第二章 实验设备介绍及测试分析方法 | 第43-59页 |
| §2.1 金属有机化学气相淀积法 | 第43-51页 |
| ·MOCVD的基本原理 | 第43-44页 |
| ·MOCVD技术的特点 | 第44-45页 |
| ·MOCVD系统 | 第45-47页 |
| ·本论文镓铟氧化物生长所用的MOCVD系统 | 第47-50页 |
| ·本论文中材料生长所用的源 | 第50-51页 |
| §2.2 测试分析方法 | 第51-58页 |
| ·结构和成分测试分析 | 第51-54页 |
| ·薄膜表面形貌分析 | 第54-56页 |
| ·光学性质的测量 | 第56页 |
| ·电学性质的测量 | 第56-58页 |
| 本章参考文献 | 第58-59页 |
| 第三章 MOCVD法制备Ga_2O_3薄膜的研究 | 第59-67页 |
| §3.1 薄膜样品的制备 | 第59-60页 |
| ·前期准备工作 | 第59-60页 |
| ·具体制备过程 | 第60页 |
| §3.2 薄膜的结构及光学性质 | 第60-66页 |
| 本章参考文献 | 第66-67页 |
| 第四章 MOCVD法制备In_2O_3薄膜的研究 | 第67-76页 |
| §4.1 In_2O_3薄膜的制备 | 第67-68页 |
| §4.2 蓝宝石衬底生长In_2O_3薄膜性质 | 第68-72页 |
| ·衬底温度对薄膜结构性质的影响 | 第68-69页 |
| ·蓝宝石衬底生长In_2O_3单晶薄膜外延生长机理分析 | 第69-72页 |
| §4.3 In_2O_3薄膜光学及电学性质 | 第72-75页 |
| ·衬底温度对薄膜光学、电学性质的影响 | 第72-74页 |
| ·In_2O_3薄膜的光致发光性质 | 第74-75页 |
| 本章参考文献 | 第75-76页 |
| 第五章 MOCVD法制备Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜的研究 | 第76-104页 |
| §5.1 Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜样品的制备 | 第76-77页 |
| §5.2 550℃衬底温度下制备Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜的结构及光电性质 | 第77-92页 |
| ·Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜的结构性质及组分分析 | 第77-86页 |
| ·Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜的光电性质 | 第86-88页 |
| ·退火处理对薄膜结构及光电性质的影响 | 第88-92页 |
| §5.3 700℃衬底温度下制备Ga_(2-2x)In_(2x)O_3薄膜的性质 | 第92-103页 |
| ·薄膜的组分分析 | 第92-94页 |
| ·样品的结构性质 | 第94-99页 |
| ·样品的光学性质 | 第99-101页 |
| ·样品的光致发光性质 | 第101-103页 |
| 本章参考文献 | 第103-104页 |
| 第六章 MOCVD法制备Sn掺杂Ga_(1.4)In_(0.6)O_3薄膜的研究 | 第104-112页 |
| §6.1 Sn掺杂Ga_(1.4)In_(0.6)O_3薄膜的制备 | 第104-105页 |
| §6.2 掺杂浓度对Ga_(1.4)In_(0.6)O_3:Sn薄膜性质的影响 | 第105-111页 |
| ·掺杂浓度对薄膜结构性质的影响 | 第105-108页 |
| ·掺杂浓度对薄膜电学性质的影响 | 第108-109页 |
| ·掺杂浓度对薄膜光学性质的影响 | 第109-111页 |
| 本章参考文献 | 第111-112页 |
| 第七章 结论 | 第112-114页 |
| 博士期间发表论文目录 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
| Paper 1 | 第117-127页 |
| Paper 2 | 第127-136页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第136页 |
