| 摘要 | 第1-14页 |
| Abstract | 第14-18页 |
| 第一章 绪论 | 第18-46页 |
| 第一节 引言 | 第18-22页 |
| 第二节 铁磁性半导体 | 第22-32页 |
| ·铁磁性半导体的基本特征 | 第22-23页 |
| ·铁磁半导体潜在的应用可能 | 第23-24页 |
| ·铁磁性半导体铁磁性的起源 | 第24-27页 |
| ·铁磁性半导体的研究历史 | 第27-32页 |
| 第三节 氧化铟(In_2O_3)的材料特性 | 第32-33页 |
| 第四节 氧化铟基铁磁性半导体的研究现状 | 第33-39页 |
| 第五节 本论文的研究内容 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-46页 |
| 第二章 样品的制备技术与测试分析方法 | 第46-67页 |
| 第一节 脉冲激光沉积技术 | 第46-52页 |
| ·脉冲激光沉积的原理 | 第47-48页 |
| ·脉冲激光镀膜的优缺点 | 第48-50页 |
| ·实验用脉冲激光沉积设备简介 | 第50-52页 |
| 第二节 薄膜的测试分析方法 | 第52-64页 |
| ·X射线衍射 | 第52-54页 |
| ·反射式高能电子衍射 | 第54-55页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第55-57页 |
| ·原子力显微镜 | 第57-58页 |
| ·透射电子显微镜 | 第58-60页 |
| ·交变梯度磁强计 | 第60-61页 |
| ·超导量子干涉仪 | 第61-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 第三章 铁掺杂氧化铟铁磁性半导体的生长及性能研究 | 第67-93页 |
| 第一节 引言 | 第67-68页 |
| 第二节 铁掺杂氧化铟多晶薄膜的制备方法 | 第68-69页 |
| 第三节 铁掺杂氧化铟多晶薄膜的结构、成分及铁磁性研究 | 第69-81页 |
| ·晶体结构特征 | 第69-73页 |
| ·成分及化合价态特性 | 第73-74页 |
| ·磁特性 | 第74-78页 |
| ·结果与讨论 | 第78-81页 |
| 第四节 外延生长的(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)薄膜的制备及特性 | 第81-88页 |
| ·外延(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)薄膜的制备 | 第81-83页 |
| ·外延(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)薄膜的结构及磁特性 | 第83-88页 |
| 第五节 小结 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-93页 |
| 第四章 铁掺杂氧化铟薄膜样品中铁磁性的起源 | 第93-109页 |
| 第一节 引言 | 第93页 |
| 第二节 Sn掺杂对(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)铁磁性的影响 | 第93-97页 |
| ·Sn掺杂(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)薄膜样品的制备 | 第93-94页 |
| ·制备态Sn-doped(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)薄膜样品的性能测量 | 第94-97页 |
| ·结果与讨论 | 第97页 |
| 第三节 氧空位对(In_(1-x)Fe_x)_2O_(3-γ)薄膜铁磁性的影响 | 第97-105页 |
| ·生长过程中不同的氧气氛对磁性能的影响 | 第97-101页 |
| ·在真空和空气中退火对样品磁性能的影响 | 第101-104页 |
| ·实验结果与讨论 | 第104-105页 |
| 第四节 铁掺杂氧化铟薄膜中铁磁性的来源 | 第105-107页 |
| 第五节 小结 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-109页 |
| 第五章 总结与展望 | 第109-111页 |
| 第一节 本论文的主要内容和结果 | 第109-110页 |
| 第二节 本论文的特色与创新 | 第110页 |
| 第三节 下一步的工作展望 | 第110-111页 |
| 致谢 | 第111-113页 |
| 在学期间发表的论文 | 第113-114页 |
| 附件 | 第114-117页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第117页 |
