| 中文摘要 | 第1-15页 |
| Abstract | 第15-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-32页 |
| ·研究背景 | 第17-18页 |
| ·LaB_6薄膜研究现状及制备方法 | 第18-24页 |
| ·真空蒸发法 | 第18页 |
| ·电子束蒸发 | 第18-20页 |
| ·真空电弧 | 第20-21页 |
| ·脉冲激光沉积法 | 第21-22页 |
| ·溅射法 | 第22-24页 |
| ·其它硼化物薄膜研究现状 | 第24-27页 |
| ·硼化铁薄膜研究现状 | 第24-25页 |
| ·硼化铬薄膜研究现状 | 第25-26页 |
| ·硼化钛薄膜研究现状 | 第26页 |
| ·硼化锆、硼化钨薄膜研究现状 | 第26-27页 |
| ·薄膜生长与界面扩散 | 第27-30页 |
| ·薄膜生长 | 第27-28页 |
| ·薄膜的结构 | 第28-29页 |
| ·影响薄膜结构的因素 | 第29-30页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第30-32页 |
| 第二章 实验材料与方法 | 第32-44页 |
| ·实验材料 | 第32页 |
| ·薄膜溅射设备及工艺参数 | 第32-34页 |
| ·薄膜溅射设备系统 | 第32-33页 |
| ·LaB_6薄膜溅射工艺参数 | 第33-34页 |
| ·LaB_6薄膜分析测试方法 | 第34-44页 |
| ·探针轮廓仪 | 第34-35页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第35-36页 |
| ·场发射电镜 | 第36-37页 |
| ·掠入角X射线衍射(GIXS) | 第37页 |
| ·高分辨透射电镜(HRTEM) | 第37-38页 |
| ·划痕测试 | 第38-39页 |
| ·纳米硬度分析 | 第39-41页 |
| ·可见-紫外分光仪 | 第41-42页 |
| ·红外光谱分析(FT-IR) | 第42页 |
| ·电学性能测定 | 第42-44页 |
| 第三章 SiO_2基LaB_6薄膜的磁控溅射工艺 | 第44-89页 |
| ·不同溅射工艺下SiO_2基LaB_6薄膜的沉积速率分析 | 第44-49页 |
| ·不同氩气气压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的沉积速率分析 | 第45-46页 |
| ·不同基片偏压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的沉积速率分析 | 第46-47页 |
| ·不同基片温度下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的沉积速率分析 | 第47-48页 |
| ·不同溅射功率下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的沉积速率分析 | 第48-49页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的AFM分析 | 第49-61页 |
| ·不同氩气气压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的AFM分析 | 第49-53页 |
| ·不同基片偏压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的AFM分析 | 第53-56页 |
| ·不同基片温度下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的AFM分析 | 第56-59页 |
| ·不同溅射功率下制备的SiO_2基LaB_6薄膜AFM分析 | 第59-61页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的断口形貌及成分分析 | 第61-74页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的断口形貌 | 第61-70页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的断口成分分析 | 第70-74页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的XRD分析 | 第74-84页 |
| ·不同氩气气压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的XRD分析 | 第75-78页 |
| ·不同基片偏压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的XRD分析 | 第78-79页 |
| ·不同基片温度下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的XRD分析 | 第79-82页 |
| ·不同溅射功率下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的XRD分析 | 第82-84页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的高分辨电镜分析 | 第84-87页 |
| ·本章小结 | 第87-89页 |
| 第四章 SiO_2基LaB_6薄膜的力学性能 | 第89-108页 |
| ·LaB_6薄膜与SiO_2基体的结合力分析 | 第90-94页 |
| ·不同氩气气压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜膜基结合力分析 | 第90-91页 |
| ·不同基片偏压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜膜基结合力分析 | 第91-92页 |
| ·不同基片温度下制备的SiO_2基LaB_6薄膜膜基结合力分析 | 第92-93页 |
| ·不同溅射功率下制备的SiO_2基LaB_6薄膜膜基结合力分析 | 第93-94页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜薄膜硬度及弹性模量分析 | 第94-106页 |
| ·不同氩气气压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的硬度及弹性模量分析 | 第95-98页 |
| ·不同基片偏压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的硬度及弹性模量分析 | 第98-101页 |
| ·不同基片温度下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的硬度及弹性模量分析 | 第101-104页 |
| ·不同溅射功率下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的硬度及弹性模量分析 | 第104-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 第五章 SiO_2基LaB_6薄膜的光学及电学性能 | 第108-126页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的紫外-可见光光谱分析 | 第109-111页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的红外光谱分析 | 第111-121页 |
| ·不同氩气气压下制备SiO_2基LaB_6薄膜的红外吸收光谱 | 第112-114页 |
| ·不同基片偏压下制备SiO_2基LaB_6薄膜的红外吸收光谱 | 第114-116页 |
| ·不同基片温度下制备SiO_2基LaB_6薄膜的红外吸收光谱 | 第116-118页 |
| ·不同溅射功率下制备SiO_2基LaB_6薄膜的红外吸收光谱 | 第118-121页 |
| ·SiO_2基LaB_6薄膜的电学性能分析 | 第121-124页 |
| ·不同氩气气压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的电学性能 | 第121-122页 |
| ·不同基片偏压下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的电学性能 | 第122-123页 |
| ·不同基片温度下制备的SiO_2基LaB_6薄膜的电学性能 | 第123-124页 |
| ·本章小结 | 第124-126页 |
| 第六章 结论 | 第126-128页 |
| ·本文结论 | 第126-127页 |
| ·本文主要创新点 | 第127页 |
| ·对进一步研究的建议 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-137页 |
| 致谢 | 第137-138页 |
| 攻读博士期间发表的论文和参与研究的项目 | 第138-140页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第140-141页 |
| 外文论文 | 第141-150页 |
