晶体硅太阳电池中的电学复合行为
| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-13页 |
| 第1章 前言 | 第13-17页 |
| ·研究的背景和意义 | 第13-14页 |
| ·本研究的目的和内容 | 第14-15页 |
| ·本文的结构安排及内容提要 | 第15-17页 |
| 第2章 文献综述 | 第17-48页 |
| ·引言 | 第17-18页 |
| ·太阳电池原理及其制备 | 第18-24页 |
| ·p-n结 | 第18-19页 |
| ·光照输出特性 | 第19-20页 |
| ·晶体硅的生长及加工技术 | 第20-22页 |
| ·太阳电池制备工艺 | 第22-24页 |
| ·晶体硅的机械性能 | 第24-29页 |
| ·硅材料的断裂 | 第24-26页 |
| ·表面状况对断裂强度的影响 | 第26-27页 |
| ·杂质原子对硅断裂的作用 | 第27-28页 |
| ·强度的测试方法 | 第28-29页 |
| ·硅表面的复合及钝化 | 第29-38页 |
| ·载流子复合机制 | 第29-31页 |
| ·硅表面的钝化 | 第31-38页 |
| ·晶体硅太阳电池的光致衰减 | 第38-46页 |
| ·光衰减缺陷成分和电学特性 | 第38-40页 |
| ·硼氧复合体形成的机制 | 第40-43页 |
| ·杂质原子对硼氧复合体的作用 | 第43-44页 |
| ·硼氧复合体的第三态 | 第44-46页 |
| ·抑制光衰减的措施 | 第46页 |
| ·评论及存在的问题 | 第46-48页 |
| 第3章 实验样品和研究方法 | 第48-57页 |
| ·实验样品 | 第48-51页 |
| ·单晶硅的生长 | 第48-49页 |
| ·多晶硅的生长 | 第49页 |
| ·样品及电池的制备 | 第49-50页 |
| ·SiN_x薄膜的制备 | 第50-51页 |
| ·研究方法及测试设备 | 第51-57页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪(FTIR) | 第51-52页 |
| ·三点弯断裂强度测试 | 第52-53页 |
| ·微波光电导衰减仪(MWPCD) | 第53-55页 |
| ·电流/电容-电压测量 | 第55页 |
| ·量子效率 | 第55-57页 |
| 第4章 太阳电池用硅片的机械性能 | 第57-73页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·实验 | 第58-59页 |
| ·不同线切割方式对硅片性能的影响 | 第58-59页 |
| ·锗掺杂对单晶硅的机械性能的影响 | 第59页 |
| ·晶界对硅的力学行为的作用 | 第59页 |
| ·不同线切割方式对硅片性能的影响 | 第59-64页 |
| ·线切割对硅片表面状况的影响 | 第59-62页 |
| ·线切割对硅片断裂强度的影响 | 第62-64页 |
| ·锗掺杂对单晶硅的机械性能的影响 | 第64-67页 |
| ·锗在硅中的分凝 | 第64-66页 |
| ·掺锗对单晶硅机械强度的作用 | 第66-67页 |
| ·晶界对硅的力学行为的作用 | 第67-72页 |
| ·小结 | 第72-73页 |
| 第5章 晶体硅表面复合及钝化 | 第73-90页 |
| ·引言 | 第73-74页 |
| ·实验 | 第74页 |
| ·硅片表面化学溶液钝化 | 第74页 |
| ·硅片表面SiN_x薄膜钝化 | 第74页 |
| ·硅片表面化学溶液钝化 | 第74-79页 |
| ·碘酒溶液的钝化作用 | 第74-77页 |
| ·碘酒溶液钝化的稳定性 | 第77-79页 |
| ·硅片表面SiN_x薄膜钝化 | 第79-88页 |
| ·SiN_x薄膜的生长参数对钝化的影响 | 第79-81页 |
| ·外加电场对SiN_x钝化的作用 | 第81-83页 |
| ·快速热处理对SiN_x薄膜钝化的作用 | 第83-85页 |
| ·快速热处理提高SiN_x薄膜钝化的机理 | 第85-88页 |
| ·结论 | 第88-90页 |
| 第6章 晶体硅的光致衰减 | 第90-112页 |
| ·引言 | 第90-91页 |
| ·实验 | 第91-92页 |
| ·光衰减的产生 | 第91页 |
| ·掺锗对光衰减的影响 | 第91-92页 |
| ·掺锡对光衰减的影响 | 第92页 |
| ·多晶硅中的光衰减 | 第92页 |
| ·光衰减的产生 | 第92-94页 |
| ·掺锗对光衰减的影响 | 第94-105页 |
| ·掺锗晶体硅的表征 | 第94-96页 |
| ·掺锗对硼氧缺陷含量的影响 | 第96-98页 |
| ·掺锗对光衰减动力学行为的作用 | 第98-105页 |
| ·掺锡对光衰减的影响 | 第105-108页 |
| ·多晶硅中的光衰减 | 第108-110页 |
| ·总结 | 第110-112页 |
| 第7章 复合中心对太阳电池效率的影响 | 第112-124页 |
| ·引言 | 第112-113页 |
| ·实验 | 第113-114页 |
| ·表面复合对薄片电池效率的影响 | 第113页 |
| ·掺锗对电池效率的作用 | 第113-114页 |
| ·表面复合对薄片电池效率的影响 | 第114-120页 |
| ·掺锗对电池效率的作用 | 第120-123页 |
| ·掺锗对单晶硅电池的影响 | 第120-122页 |
| ·掺锗对多晶硅电池的影响 | 第122-123页 |
| ·小结 | 第123-124页 |
| 第8章 总结 | 第124-126页 |
| 参考文献 | 第126-143页 |
| 致谢 | 第143-145页 |
| 个人简历 | 第145-146页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文与取得的其它研究成果 | 第146-147页 |
