| 致谢 | 第5-7页 |
| 摘要 | 第7-8页 |
| Abstract | 第8页 |
| 1 绪论 | 第11-26页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-13页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第13-24页 |
| 1.2.1 微纳电致激光器研究进展 | 第13-20页 |
| 1.2.2 硅基微纳发光二极管 | 第20-24页 |
| 1.3 本论文的主要工作 | 第24-26页 |
| 2 硫化镉纳米带的制备与表征 | 第26-34页 |
| 2.1 硫化镉纳米带的基本性质与制备方法概述 | 第26-30页 |
| 2.1.1 硫化镉纳米带的基本性质 | 第26-28页 |
| 2.1.2 硫化镉纳米带的制备方法 | 第28-30页 |
| 2.2 硫化镉纳米带的制备与表征 | 第30-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 梳齿硅/硫化镉纳米带P-N异质结发光二极管 | 第34-48页 |
| 3.1 梳齿硅/硫化镉纳米带P-N异质结发光二极管的制备 | 第34-36页 |
| 3.2 器件电学与光学特性的表征 | 第36-38页 |
| 3.3 梳齿硅/硫化镉纳米带P-N异质结发光二极管性能提升的验证 | 第38-46页 |
| 3.3.1 基于平面硅衬底与梳齿硅衬底的异质结发光二极管光电特性表征 | 第39-43页 |
| 3.3.2 数值仿真分析梳齿结构架空硫化镉纳米带对器件光电特性的影响 | 第43-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 4 三氧化钼传输层对异质结发光二极管的影响 | 第48-54页 |
| 4.1 梳齿硅/三氧化钼/硫化镉纳米带异质结发光二极管 | 第49-52页 |
| 4.2 三氧化钼辐射复合过程的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结与展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-62页 |
| 作者简介 | 第62页 |
