| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第13-45页 |
| 1.1 过渡族金属硫族化合物简介 | 第13-29页 |
| 1.1.1 过渡族金属硫族化合物的结构与制备方法 | 第13-18页 |
| 1.1.2 单层过渡族金属硫族化合物的物理性质 | 第18-23页 |
| 1.1.3 单数层级过渡族金属硫族化合物的应用 | 第23-29页 |
| 1.2 高压物理学 | 第29-35页 |
| 1.2.1 高压物理学简介 | 第29-30页 |
| 1.2.2 金刚石对顶砧装置简介 | 第30-35页 |
| 1.3 论文的选题目的和意义及各部分主要内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-45页 |
| 第二章 样品制备与光谱测量方法 | 第45-53页 |
| 2.1 引言 | 第45页 |
| 2.2 向金刚石对顶砧上转移TMDs的装置及方法 | 第45-48页 |
| 2.2.1 背景技术 | 第45-46页 |
| 2.2.2 装置结构及操作方法 | 第46-48页 |
| 2.3 高压微区荧光光谱测量技术 | 第48-49页 |
| 2.4 高压微区拉曼光谱测量技术 | 第49-51页 |
| 2.5 高压原位同步辐射X射线衍射实验方法 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-53页 |
| 第三章 压力对单层MoSe_2激子和晶格振动行为的调制 | 第53-73页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 单层MoSe_2的制备与表征 | 第54-56页 |
| 3.3 压力对单层MoSe_2激子行为调控研究 | 第56-64页 |
| 3.3.1 实验测量 | 第56-59页 |
| 3.3.2 第一性原理计算 | 第59-64页 |
| 3.4 压力对单层MoSe_2晶格振动行为的调控研究 | 第64-65页 |
| 3.5 基于Si/SiO2衬底的单层MoSe_2激子和晶格振动行为高压调控研究 | 第65-68页 |
| 3.6 本章小结 | 第68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 第四章 压力对MoSe_2-WSe2异质结激子和晶格振动行为的调控研究 | 第73-97页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 单层MoSe_2-WSe2异质结的制备与表征 | 第74-80页 |
| 4.3 压力对单层MoSe_2-WSe2异质结激子行为的调控 | 第80-85页 |
| 4.3.1 单层MoSe_2和单层WSe2的高压荧光光谱 | 第81-82页 |
| 4.3.2 MoSe_2-WSe2异质结的高压荧光光谱 | 第82-85页 |
| 4.4 MoSe_2-WSe2异质结高压能带结构的第一性原理计算 | 第85-88页 |
| 4.5 压力对MoSe_2-WSe2异质结晶格振动行为的调控研究 | 第88-93页 |
| 4.5.1 单层MoSe_2和单层WSe2的高压拉曼光谱 | 第88-89页 |
| 4.5.2 MoSe_2-WSe2异质结的高压拉曼光谱 | 第89-93页 |
| 4.6 本章小结 | 第93页 |
| 参考文献 | 第93-97页 |
| 第五章 压力对双层及体材料MoSe_2激子和晶格振动行为的调制研究 | 第97-107页 |
| 5.1 引言 | 第97页 |
| 5.2 双层MoSe_2的高压拉曼光谱 | 第97-100页 |
| 5.3 双层MoSe_2的高压荧光光谱 | 第100-101页 |
| 5.4 体材料MoSe_2的高压拉曼光谱 | 第101-102页 |
| 5.5 体材料MoSe_2的高压同步辐射XRD谱 | 第102-105页 |
| 5.6 本章小结 | 第105-106页 |
| 参考文献 | 第106-107页 |
| 第六章 总结和展望 | 第107-109页 |
| 攻读博士期间发表的学术论文 | 第109-110页 |
| 致谢 | 第110-111页 |
| 作者简历 | 第111页 |
