| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-16页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 钛酸锶的基本性质 | 第11-12页 |
| 1.3 SrTiO_3的缺陷研究 | 第12-13页 |
| 1.4 国内外研究现状及发展趋势 | 第13-14页 |
| 1.5 论文的研究内容及框架 | 第14-16页 |
| 第二章 离子注入的计算机模拟理论 | 第16-32页 |
| 2.1 蒙特卡罗方法 | 第16-18页 |
| 2.1.1 蒙特卡罗方法简介 | 第16页 |
| 2.1.2 蒙特卡罗方法的基本思想 | 第16-17页 |
| 2.1.3 蒙特卡罗方法的特点及在离子注入上的应用 | 第17-18页 |
| 2.2 SRIM程序 | 第18-32页 |
| 2.2.1 SRIM程序简介 | 第18-19页 |
| 2.2.2 粒子的阻止与范围 | 第19-30页 |
| 2.2.2.1 电子的停止 | 第19-20页 |
| 2.2.2.2 粒子与自由电子气的相互作用 | 第20-21页 |
| 2.2.2.3 能量离子的有效电荷 | 第21-23页 |
| 2.2.2.4 靶元素的电荷分布 | 第23-26页 |
| 2.2.2.5 离子的核阻止 | 第26-30页 |
| 2.2.3 SRIM的几个基本概念 | 第30-32页 |
| 第三章 Ar~+轰击SrTiO_3晶体的原子分布及缺陷研究 | 第32-52页 |
| 3.1 前言 | 第32页 |
| 3.2 SrTiO_3的能量位移阈能 | 第32-34页 |
| 3.3 入射离子对SrTiO_3晶体表面原子及缺陷分布的影响 | 第34-45页 |
| 3.3.1 Ar~+能量对SrTiO_3表面原子分布的影响 | 第34-39页 |
| 3.3.2 Ar~+能量对SrTiO_3表面缺陷分布的影响 | 第39-41页 |
| 3.3.3 入射角度对SrTiO_3表面原子分布的影响 | 第41-43页 |
| 3.3.4 入射角度对SrTiO_3表面缺陷分布的影响 | 第43-45页 |
| 3.4 靶材料密度对SrTiO_3晶体表面原子及缺陷分布的影响 | 第45-51页 |
| 3.4.1 靶材料密度对SrTiO_3晶体表面原子分布的影响 | 第45-49页 |
| 3.4.2 靶材料密度对SrTiO_3晶体表面缺陷分布的影响 | 第49-51页 |
| 3.5 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 刻蚀过程对离子注入及缺陷分布的影响 | 第52-59页 |
| 4.1 前言 | 第52页 |
| 4.2 刻蚀效应 | 第52-53页 |
| 4.3 逐层计算方法 | 第53-55页 |
| 4.4 计算结果讨论 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小节 | 第57-59页 |
| 第五章 总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 总结 | 第59页 |
| 5.2 不足与展望 | 第59-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第67页 |
