| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-18页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-16页 |
| 1.2.1 SiC MOSFET器件的发展状况 | 第12-14页 |
| 1.2.2 SiC MOSFET器件模型 | 第14-16页 |
| 1.3 PSpice概述 | 第16-17页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第17-18页 |
| 第2章 SiC MOSFET建模基础 | 第18-25页 |
| 2.1 SiC MOSFET的结构特点及重要参数 | 第18-21页 |
| 2.1.1 SiC MOSFET的物理结构及外特性 | 第18页 |
| 2.1.2 SiC MOSFET器件的几个重要参数 | 第18-21页 |
| 2.2 CREE公司提供的Spice模型 | 第21-25页 |
| 2.2.1 Spice模型静态特性测试 | 第21-23页 |
| 2.2.2 Spice模型动态特性测试 | 第23-25页 |
| 第3章 SiC MOSFET变温度参数模型的静态模型 | 第25-40页 |
| 3.1 基本MOSFET单元M1建模 | 第25-29页 |
| 3.2 导通电阻及内部门极电阻建模 | 第29-32页 |
| 3.3 温控电压源及温控电流源建模 | 第32-34页 |
| 3.4 SiC MOSFET静态特性验证 | 第34-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 SiC MOSFET变温度参数模型的动态模型 | 第40-49页 |
| 4.1 体二极管Doby-Diode建模 | 第40-43页 |
| 4.2 门-漏极间电容建模 | 第43-44页 |
| 4.3 门-源极间电容建模 | 第44-45页 |
| 4.4 动态模型验证 | 第45-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 工作总结 | 第49-50页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第50-51页 |
| 附录A | 第51-55页 |
| 附录B | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 攻读硕士学位期间的成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
