| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 课题背景及研究目的 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外的研究现状 | 第10-23页 |
| 1.2.1 固液互扩散低温键合 | 第10-13页 |
| 1.2.2 Cu-Sn界面反应及IMC的生长与制备 | 第13-18页 |
| 1.2.3 激光前向转移技术 | 第18-21页 |
| 1.2.4 激光辐照固体材料温度场数值模拟 | 第21-23页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第23-24页 |
| 第2章 实验材料及方法 | 第24-33页 |
| 2.1 实验过程概述 | 第24页 |
| 2.2 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.3 实验设备与方法 | 第25-32页 |
| 2.3.1 石英基板上IMC的制备工艺与设备 | 第25-26页 |
| 2.3.2 激光前向转移IMC薄膜工艺与设备 | 第26-27页 |
| 2.3.3 多层铜锡薄膜电沉积制备研究 | 第27-28页 |
| 2.3.4 沉积薄膜（Cu3Sn）与铜锡薄膜间界面行为研究 | 第28-29页 |
| 2.3.5 沉积点表面形貌、截面形貌及成分分析 | 第29-30页 |
| 2.3.6 沉积点三维形貌及粗糙度分析 | 第30-31页 |
| 2.3.7 TEM试样的制备与测试 | 第31页 |
| 2.3.8 激光辐照薄膜温度场数值模拟 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 石英基板上IMC薄膜及多层Cu/Sn薄膜的制备工艺研究 | 第33-49页 |
| 3.1 Cu基体上电沉积Sn工艺研究 | 第33-38页 |
| 3.2 石英基板上制备单IMC（Cu3Sn）薄膜工艺研究 | 第38-44页 |
| 3.3 电沉积制备多层Cu/Sn薄膜工艺研究 | 第44-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第4章 激光前向转移IMC薄膜工艺研究 | 第49-81页 |
| 4.1 激光转移IMC薄膜工艺参数优化 | 第49-58页 |
| 4.1.1 激光转移IMC薄膜单脉冲功率参数优化 | 第49-52页 |
| 4.1.2 激光转移IMC薄膜离焦值参数优化 | 第52-58页 |
| 4.2 脉宽和基板间距对激光转移IMC薄膜的影响 | 第58-60页 |
| 4.3 激光转移IMC薄膜过程机理研究 | 第60-70页 |
| 4.3.1 长脉冲激光与固态靶物质相互作用机制 | 第60-61页 |
| 4.3.2 单脉冲功率对沉积点尺寸及膜转移特征影响分析 | 第61-68页 |
| 4.3.3 离焦值对沉积点尺寸及膜转移特征影响分析 | 第68-70页 |
| 4.4 转移沉积点成分及截面结合情况研究 | 第70-73页 |
| 4.5 高斯激光辐照下薄膜温度场分布数值模拟 | 第73-79页 |
| 4.5.1 模型的简化和假设 | 第74页 |
| 4.5.2 网格的划分、边界条件与材料参数 | 第74-76页 |
| 4.5.3 计算结果及分析 | 第76-79页 |
| 4.6 本章小结 | 第79-81页 |
| 第5章 转移IMC薄膜与铜锡界面行为研究 | 第81-92页 |
| 5.1 Cu/Cu_3Sn/Sn界面行为研究 | 第81-89页 |
| 5.1.1 Cu/Cu_3Sn/Sn界面结合情况研究 | 第81-83页 |
| 5.1.2 Cu/Cu_3Sn/Sn界面反应情况研究 | 第83-89页 |
| 5.2 Cu_3Sn/Sn/Cu界面反应情况研究 | 第89-91页 |
| 5.3 本章小结 | 第91-92页 |
| 结论 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-99页 |
| 致谢 | 第99页 |
