摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 引言 | 第8-42页 |
1.1 1T'-MoTe_2的晶体结构 | 第8-12页 |
1.2 1T'-MoTe_2的能带结构 | 第12-18页 |
1.2.1 2H-相MX_2的半导体能带结构特点 | 第12-16页 |
1.2.2 1T'-MoTe_2的能带结构 | 第16-18页 |
1.3 1T'-MoTe_2的研究进展 | 第18-41页 |
1.3.1 1T'-MoTe_2的第二类Weyl半金属性 | 第18-32页 |
1.3.2 1T'-MoTe_2的低温相转变 | 第32-35页 |
1.3.3 半金属MoTe_2的超导性 | 第35-41页 |
1.4 本文的内容和结构安排 | 第41-42页 |
第二章 实验方法 | 第42-54页 |
2.1 半金属型MoTe_2样品的制备 | 第42-48页 |
2.1.1 半金属型MoTe_2样品的解理 | 第42-44页 |
2.1.2 样品的微纳加工 | 第44-48页 |
2.2 测量系统 | 第48-54页 |
2.2.1 锁相放大器 | 第49-50页 |
2.2.2 低温设备 | 第50-54页 |
第三章 半金属MoTe_2的低温输运性质 | 第54-80页 |
3.1 薄膜样品的低温输运性质 | 第54-66页 |
3.1.1 体样品半金属MoTe_2的低温相变回滞 | 第54-55页 |
3.1.2 70纳米厚度的样品 | 第55-57页 |
3.1.3 薄膜样品的低温输运性质 | 第57-66页 |
3.2 薄膜样品的磁阻行为 | 第66-79页 |
3.2.1 电子-电子相互作用 | 第67-68页 |
3.2.2 弱局域效应和反弱局域效应 | 第68-72页 |
3.2.3 电子-电子相互作用和反弱局域效应共同作用的情况 | 第72-73页 |
3.2.4 对实验数据的分析及拟合 | 第73-79页 |
3.3 本章小结 | 第79-80页 |
第四章 半金属MoTe_2的超导性 | 第80-94页 |
4.1 超导现象 | 第80-85页 |
4.1.1 第一类和第二类超导体 | 第80-82页 |
4.1.2 二维超导体 | 第82-85页 |
4.2 体材料型半金属MoTe_2的超导性 | 第85-88页 |
4.3 半金属MoTe_2薄膜样品的超导性 | 第88-93页 |
4.4 本章小结 | 第93-94页 |
第五章 结论 | 第94-96页 |
参考文献 | 第96-104页 |
个人简历 | 第104-105页 |
致谢 | 第105-106页 |