摘要 | 第4-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第1章 绪论 | 第10-20页 |
1.1 前言 | 第10-11页 |
1.2 热电效应基本原理 | 第11-14页 |
1.2.1 塞贝克效应 | 第11-13页 |
1.2.2 帕尔帖效应 | 第13页 |
1.2.3 汤姆森效应 | 第13-14页 |
1.2.4 热电性能 | 第14页 |
1.3 温差电技术的应用 | 第14-15页 |
1.4 Cu-Se基热电材料研究现状 | 第15-16页 |
1.5 表面活性剂 | 第16-17页 |
1.6 本课题研究的内容和意义 | 第17-20页 |
第2章 研究方法 | 第20-30页 |
2.1 实验仪器及试剂 | 第20-22页 |
2.1.1 实验仪器 | 第20-21页 |
2.1.2 实验试剂 | 第21-22页 |
2.2 电化学测试 | 第22-25页 |
2.2.1 装置 | 第22页 |
2.2.2 试片及前处理 | 第22-24页 |
2.2.3 溶液 | 第24页 |
2.2.4 循环伏安曲线和线性扫描伏安曲线测试 | 第24-25页 |
2.2.5 交流阻抗谱图测试 | 第25页 |
2.3 电沉积Cu-Se薄膜 | 第25-27页 |
2.3.1 装置 | 第25页 |
2.3.2 溶液 | 第25页 |
2.3.3 试片及其前处理 | 第25页 |
2.3.4 电沉积方法 | 第25页 |
2.3.5 霍尔槽试验 | 第25-27页 |
2.4 电沉积材料的后处理 | 第27页 |
2.5 电沉积材料成分,结构及形貌分析 | 第27页 |
2.5.1 能谱(EDS)分析 | 第27页 |
2.5.2 扫描电镜(SEM)分析 | 第27页 |
2.5.3 X射线衍射(XRD)分析 | 第27页 |
2.6 性能分析 | 第27-30页 |
2.6.1 薄膜厚度 | 第27-28页 |
2.6.2 塞贝克系数 | 第28页 |
2.6.3 电导率 | 第28-30页 |
第3章 硫酸体系Cu-Se化合物的电化学还原动力学研究 | 第30-76页 |
3.1 前言 | 第30页 |
3.2 研究方法 | 第30-31页 |
3.2.1 电化学测试 | 第30-31页 |
3.2.2 电化学测试溶液 | 第31页 |
3.3 Cu单组份溶液的电化学还原过程研究 | 第31-48页 |
3.3.1 循环伏安分析 | 第31-33页 |
3.3.2 交流阻抗分析 | 第33-39页 |
3.3.3 表面活性剂SA的影响 | 第39-43页 |
3.3.4 表面活性剂SB的影响 | 第43-45页 |
3.3.5 表面活性剂作用比较 | 第45-46页 |
3.3.6 pH值的影响 | 第46-48页 |
3.4 Se单组份溶液的电化学还原过程研究 | 第48-69页 |
3.4.1 循环伏安分析 | 第48-50页 |
3.4.2 交流阻抗分析 | 第50-57页 |
3.4.3 表面活性剂SA的影响 | 第57-63页 |
3.4.4 表面活性剂SB的影响 | 第63-65页 |
3.4.5 表面活性剂作用比较 | 第65-67页 |
3.4.6 pH值的影响 | 第67-69页 |
3.5 Cu-Se双组份溶液的电化学还原过程研究 | 第69-73页 |
3.5.1 循环伏安分析 | 第69-71页 |
3.5.2 SA10000的影响 | 第71-73页 |
3.6 本章小结 | 第73-76页 |
第4章 电沉积Cu-Se化合物工艺研究 | 第76-90页 |
4.1 前言 | 第76页 |
4.2 研究方法 | 第76-77页 |
4.2.1 试片 | 第76页 |
4.2.2 电沉积溶液 | 第76-77页 |
4.2.3 电沉积装置 | 第77页 |
4.2.4 电沉积方法 | 第77页 |
4.2.5 电沉积材料的后处理及相关表征 | 第77页 |
4.3 工艺参数对电沉积Cu-Se化合物表面形貌及组成的影响 | 第77-86页 |
4.3.1 主盐溶度的影响 | 第77-78页 |
4.3.2 沉积电位的影响 | 第78-81页 |
4.3.3 溶液温度的影响 | 第81-83页 |
4.3.4 溶液pH值的影响 | 第83-86页 |
4.4 电沉积Cu-Se化合物的形貌及结构分析 | 第86-88页 |
4.4.1 SEM分析和EDS分析 | 第86-87页 |
4.4.2 XRD分析 | 第87-88页 |
4.4.3 热电性能分析 | 第88页 |
4.5 本章总结 | 第88-90页 |
第5章 结论 | 第90-92页 |
参考文献 | 第92-98页 |
发表论文和科研情况说明 | 第98-100页 |
致谢 | 第100-101页 |