| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-28页 |
| 第一节 Ta_2O_5的性质及其研究进展 | 第12页 |
| 第二节 异质结 | 第12-15页 |
| 1.2.1 异质结的性质 | 第12-14页 |
| 1.2.2 异质结的研究进展及其应用 | 第14-15页 |
| 第三节 新型非易失存储器的介绍 | 第15-18页 |
| 1.3.1 电阻式存储器(ReRAM,Resistance RAM) | 第15-16页 |
| 1.3.2 铁电存储器(FeRAM,Ferroelectric RAM) | 第16页 |
| 1.3.3 磁存储器(Magnetic RAM,MRAM) | 第16-17页 |
| 1.3.4 相变存储器(Phase Change RAM,PCRAM) | 第17-18页 |
| 第四节 电阻式存储器的研究及其进展 | 第18-26页 |
| 1.4.1 电阻开关效应的分类 | 第18-19页 |
| 1.4.2 电阻式存储器的材料 | 第19-21页 |
| 1.4.3 电阻开关效应的机制 | 第21-26页 |
| 第五节 本课题的研究动机和内容 | 第26-28页 |
| 第二章 样品的制备与表征 | 第28-44页 |
| 第一节 溅射镀膜 | 第28-38页 |
| 2.1.1 溅射镀膜的特点 | 第28-29页 |
| 2.1.2 溅射的基本原理 | 第29-36页 |
| 2.1.3 实验用磁控共溅溅射设备 | 第36-38页 |
| 第二节 超导量子干涉仪(SQUID) | 第38-42页 |
| 第三节 交变梯度磁强计(AGM) | 第42-44页 |
| 第三章 Ag/Co/Ta_2O_5/Ag异质结的电阻开关特性的研究 | 第44-58页 |
| 第一节 引言 | 第44页 |
| 第二节 样品制备工艺的介绍 | 第44-47页 |
| 3.2.1 衬底的处理 | 第44-45页 |
| 3.2.2 Ag/Co/Ta_2O_5/Ag异质结的制备 | 第45-47页 |
| 第三节 实验结果及讨论 | 第47-58页 |
| 3.3.1 Ag/Co/Ta_2O_5/Ag异质结的性质介绍 | 第47-51页 |
| 3.3.2 Ag/Co/Ta_2O_5(6nm)/Ag电阻开关特性机理的探究 | 第51-58页 |
| 第四章 Ag/Ta_2O_5/Ag异质结的电阻开关特性的研究 | 第58-60页 |
| 第五章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参加的学术会议 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-69页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第69页 |
