| 摘要 | 第5-7页 |
| abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-24页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 新型非挥发存储器 | 第12-18页 |
| 1.2.1 铁电存储器(FRAM) | 第12-13页 |
| 1.2.2 磁存储器(MRAM) | 第13-15页 |
| 1.2.3 相变存储器(PRAM) | 第15-16页 |
| 1.2.4 阻变存储器(RRAM) | 第16-18页 |
| 1.3 阻变存储器(RRAM)研究现状 | 第18-23页 |
| 1.3.1 阻变材料 | 第19页 |
| 1.3.2 阻变特性分类 | 第19-20页 |
| 1.3.3 主要阻变机理介绍 | 第20-23页 |
| 1.4 论文选题与主要工作 | 第23-24页 |
| 第二章 实验原理与方法 | 第24-34页 |
| 2.1 阻变薄膜的制备 | 第24-28页 |
| 2.1.1 脉冲激光沉积(PLD) | 第24-25页 |
| 2.1.2 其他薄膜制备方法 | 第25-28页 |
| 2.2 薄膜微观结构表征方法 | 第28-31页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第28-30页 |
| 2.2.2 X射线光电子谱(XPS) | 第30页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
| 2.3 薄膜电学性能表征 | 第31-34页 |
| 2.3.1 薄膜阻变性能(I-V)测试 | 第31-34页 |
| 第三章 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜的制备与性能研究 | 第34-48页 |
| 3.1 HfO_2和ZrO_2的基本性质 | 第34-35页 |
| 3.2 HZO薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.1 HZO靶材的制备 | 第35页 |
| 3.2.2 HZO薄膜的沉积 | 第35-36页 |
| 3.3 Hf_xZr_((1-x))O_2薄膜阻变特性的测试 | 第36-43页 |
| 3.3.1 I-V特性测试 | 第36-38页 |
| 3.3.2 抗疲劳特性测试 | 第38-40页 |
| 3.3.3 数据保持特性测试 | 第40-41页 |
| 3.3.4 操作电压/电流 | 第41-43页 |
| 3.4 Hf_(0.5)Zr_(0.5)O_2薄膜阻变机理研究 | 第43-46页 |
| 3.4.1 HZO薄膜导电机制分析 | 第44-45页 |
| 3.4.2 HZO薄膜阻变机理 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 采用Al_2O_3/ZnO结构的阻变薄膜的低温制备及机理研究 | 第48-61页 |
| 4.1 ZnO的基本性质 | 第49-50页 |
| 4.2 Au/Ti/Al_2O_3/ZnO/Au/Ti/PET结构的制备和表征 | 第50-52页 |
| 4.2.1 薄膜的制备 | 第50-51页 |
| 4.2.2 薄膜微观结构表征 | 第51-52页 |
| 4.3 Al_2O_3/ZnO双层薄膜阻变特性的测试 | 第52-57页 |
| 4.3.1 Al_2O_3层对ZnO阻变薄膜开关比的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 Al_2O_3层对ZnO阻变薄膜抗疲劳特性的影响 | 第54-56页 |
| 4.3.3 Al_2O_3/ZnO双层阻变薄膜抗弯折特性及数据保持特性的测试. | 第56-57页 |
| 4.4 Al_2O_3/ZnO双层阻变薄膜阻变机理研究 | 第57-60页 |
| 4.4.1 Al_2O_3/ZnO双层薄膜导电机制 | 第57-58页 |
| 4.4.2 ZnO薄膜的阻变机理 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第70页 |
