逆导型1700V CSTBT的设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 功率半导体器件简介 | 第10-11页 |
| 1.2 IGBT器件发展概况 | 第11-13页 |
| 1.3 逆导型IGBT的发展 | 第13-15页 |
| 1.4 本课题的研究意义 | 第15-16页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 第二章 RC-CSTBT基本理论 | 第17-33页 |
| 2.1 逆导型CSTBT器件结构 | 第17-18页 |
| 2.2 逆导型CSTBT的静态特性 | 第18-26页 |
| 2.2.1 正向阻断特性 | 第18-20页 |
| 2.2.2 阈值电压 | 第20-22页 |
| 2.2.3 正向导通 | 第22-25页 |
| 2.2.4 反向导通 | 第25-26页 |
| 2.3 逆导型CSTBT的动态特性 | 第26-28页 |
| 2.3.1 IGBT关断特性 | 第26-27页 |
| 2.3.2 FRD反向恢复 | 第27-28页 |
| 2.4 终端技术 | 第28-32页 |
| 2.4.1 等位环技术 | 第29-30页 |
| 2.4.2 场板技术 | 第30页 |
| 2.4.3 场限环技术 | 第30-31页 |
| 2.4.4 场板加场限环技术 | 第31-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 CSTBT元胞设计 | 第33-44页 |
| 3.1 工艺流程设计 | 第33-35页 |
| 3.2 CSTBT元胞设计 | 第35-43页 |
| 3.2.1 正向阻断电压的优化 | 第35-38页 |
| 3.2.2 阈值电压的优化 | 第38-39页 |
| 3.2.3 饱和导通压降的优化 | 第39-41页 |
| 3.2.4 器件电容参数的优化 | 第41-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 RC-CSTBT设计 | 第44-58页 |
| 4.1 消除snapback现象 | 第44-46页 |
| 4.2 RC-CSTBT的静态特性 | 第46-49页 |
| 4.2.1 RC-CSTBT的正向阻断电压 | 第46-47页 |
| 4.2.2 RC-CSTBT饱和导通压降 | 第47-49页 |
| 4.3 IGBT模式关断特性 | 第49-51页 |
| 4.4 RC-CSTBT终端设计 | 第51-55页 |
| 4.4.1 三种终端结构的对比 | 第51-54页 |
| 4.4.2 不同温度下终端特性对比 | 第54-55页 |
| 4.5 RC-CSTBT版图设计 | 第55-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第64页 |
