| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 引言 | 第8-10页 |
| 第一章 SOI技术工艺基础和器件特性 | 第10-28页 |
| 第1.1节 SOI衬底硅片加工技术和本课题采用的SOI衬底硅片类型 | 第10-15页 |
| 第1.2 节 在SOI工艺中常用的关键工艺和本课题采用的工艺 | 第15-18页 |
| 第1.3 节 SOI晶体管体引出方式 | 第18-21页 |
| 第1.4 节 SOI器件特性 | 第21-25页 |
| 第1.5 节 SOI器件优点 | 第25-28页 |
| 第二章 0.13微米SOI CMOS工艺开发 | 第28-45页 |
| 第2.1 节 浅槽隔离工艺模块 | 第29-38页 |
| 第2.2节 栅工艺模块 | 第38-41页 |
| 第2.3 节 源漏工程 | 第41-43页 |
| 第2.4 节 互连工艺 | 第43-45页 |
| 第三章 0.13微米SOI CMOS工艺器件特性 | 第45-68页 |
| 第3.1 节 体引出器件的形式与面积 | 第45-46页 |
| 第3.2 节 器件的电气参数 | 第46-53页 |
| 第3.3节 器件的泄漏电流 | 第53-59页 |
| 第3.4 节 自加热效应 | 第59-62页 |
| 第3.5 节 浮体器件的线性区KINK效应 | 第62-68页 |
| 第四章 结论 | 第68-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |