| 内容提要 | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-30页 |
| 1.1 III-V族锑化物半导体材料 | 第8-13页 |
| 1.1.1 锑化物材料基本性质 | 第8-10页 |
| 1.1.2 锑化物材料的相关应用 | 第10-11页 |
| 1.1.3 锑化物材料结构特性及制备技术 | 第11-13页 |
| 1.2 Si上锑化物外延生长 | 第13-20页 |
| 1.2.1 Si上锑化物应用领域及优势 | 第13页 |
| 1.2.2 Si基锑化物外延生长的主要困难 | 第13-19页 |
| 1.2.3 Si上锑化物的研究进展 | 第19-20页 |
| 1.3 锑化物热光伏电池 | 第20-27页 |
| 1.3.1 热光伏技术简介 | 第20-23页 |
| 1.3.2 热光伏技术技术优势和应用领域 | 第23-25页 |
| 1.3.3 锑化物半导体在热光伏电池中的应用 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第27-30页 |
| 第二章 锑化物的MOCVD外延技术及材料表征方法 | 第30-48页 |
| 2.1 金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术介绍 | 第30-32页 |
| 2.1.1 金属有机源化学气相沉积技术简介 | 第30-32页 |
| 2.1.2 MOCVD技术的特点及优势 | 第32页 |
| 2.2 锑化物的MOCVD生长技术 | 第32-41页 |
| 2.2.1 MOCVD技术制备锑化物材料的主要困难 | 第32-35页 |
| 2.2.2 MOCVD系统组成 | 第35-41页 |
| 2.3 锑化物材料的相关表征方法 | 第41-47页 |
| 2.3.1 原子力显微镜（AFM） | 第41-43页 |
| 2.3.2 X射线衍射仪（XRD） | 第43-47页 |
| 2.3.3 金相显微镜 | 第47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第三章 GaSb/Si的成核机理及结构特征研究 | 第48-82页 |
| 3.1 GaSb/Si成核过程的实验设计与实验方案 | 第48-49页 |
| 3.2 生长参数对GaSb/Si成核过程的影响 | 第49-64页 |
| 3.2.1 生长温度对GaSb/Si成核过程的影响 | 第49-55页 |
| 3.2.2 气相V/III比对GaSb/Si成核过程的影响 | 第55-59页 |
| 3.2.3 有机源输入量对GaSb/Si初期成核的影响 | 第59-64页 |
| 3.3 过程参数对GaSb/Si初期成核的影响 | 第64-72页 |
| 3.3.1 生长时间对GaSb/Si初期成核的影响 | 第64-68页 |
| 3.3.2 退火时间对GaSb/Si初期成核的影响 | 第68-72页 |
| 3.4 衬底表面结构对GaSb/Si初期成核的影响 | 第72-78页 |
| 3.4.1 衬底表面锑化处理对GaSb初期成核的影响 | 第72-74页 |
| 3.4.2 衬底表面镓化处理对GaSb初期成核的影响 | 第74-76页 |
| 3.4.3 Si衬底晶面指数对GaSb/Si初期成核的影响 | 第76-78页 |
| 3.5 本章小结 | 第78-82页 |
| 第四章 InxGa1-x Sb薄膜MOCVD制备及其生长特性研究 | 第82-104页 |
| 4.1 Inx Ga1-x Sb材料的基本性质及应用 | 第82-84页 |
| 4.2 InGaSb外延层的制备生长 | 第84-85页 |
| 4.3 InGaSb外延层晶体质量的表征与分析 | 第85-102页 |
| 4.3.1 生长温度的影响 | 第85-90页 |
| 4.3.2 气相V/III比的影响 | 第90-96页 |
| 4.3.3 气相Ga/III比的影响 | 第96-102页 |
| 4.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第五章 GaSb/InGaSb热光伏电池的模拟及优化 | 第104-154页 |
| 5.1 热光伏电池模型及模拟分析方法 | 第104-109页 |
| 5.1.1 热光伏电池的物理模型 | 第104-106页 |
| 5.1.2 热光伏电池基本性能参数 | 第106-109页 |
| 5.2 热光伏电池器件结构设计与材料参数 | 第109-118页 |
| 5.2.1 热光伏电池器件结构设计 | 第109-112页 |
| 5.2.2 热光伏电池材料相关参数 | 第112-118页 |
| 5.3 GaSb和InGaSb单结热光伏电池特性模拟计算 | 第118-137页 |
| 5.3.1 热光伏电池P-N结构的选择 | 第118页 |
| 5.3.2 GaSb单结热光伏电池的模拟分析 | 第118-128页 |
| 5.3.3 InGaSb单结热光伏电池的模拟分析 | 第128-137页 |
| 5.4 GaSb/InGaSb双结叠层热光伏电池特性的模拟计算 | 第137-150页 |
| 5.5 GaSb/InGaSb双结叠层热光伏电池的优化结果 | 第150-152页 |
| 5.6 本章小结 | 第152-154页 |
| 结论及创新点 | 第154-158页 |
| 参考文献 | 第158-172页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第172-174页 |
| 致谢 | 第174-175页 |
| 中文摘要 | 第175-178页 |
| Abstract | 第178-180页 |
