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表面等离激元增强型GaAs纳米线阵列太阳能电池的研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-7页
符号说明第10-11页
第一章 绪论第11-20页
    1.1 课题研究背景第11-13页
    1.2 半导体纳米线第13-14页
    1.3 表面等离子激元第14-15页
    1.4 论文结构与安排第15-17页
    参考文献第17-20页
第二章 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线太阳能电池第20-34页
    2.1 P-N结太阳能电池结构与原理第20-22页
        2.1.1 太阳能电池的结构第20-21页
        2.1.2 太阳能电池的光电转换原理第21-22页
    2.2 Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线制备技术和表征方法第22-28页
        2.2.1 Ⅲ-Ⅴ族纳米线的合成机制第22-26页
        2.2.2 Ⅲ-Ⅴ族纳米线的表征方法第26-28页
    2.3 Ⅲ-Ⅴ族纳米线光伏性能的仿真方法第28-29页
    2.4 本章小结第29-30页
    参考文献第30-34页
第三章 太阳能电池光学与电学性能的仿真研究第34-51页
    3.1 新型太阳能电池结构模型第34-36页
    3.2 FDTD Solution光学仿真结果及分析第36-42页
        3.2.1 表面等离激元对纳米线阵列光吸收率的影响第36-39页
        3.2.2 金属颗粒形貌对纳米线阵列光吸收率的影响第39-42页
    3.3 太阳能电池的Sentaurus电学仿真结果及分析第42-48页
        3.3.1 太阳能电池的电学特性第44-46页
        3.3.2 环境变化对太阳能电池性能的影响第46-48页
    3.5 本章小结第48-49页
    参考文献第49-51页
第四章 纳米线阵列太阳能电池的工艺研究第51-59页
    4.1 太阳能电池的工艺流程第51-55页
    4.2 电学特性分析第55-56页
    4.3 本章小结第56-57页
    参考文献第57-59页
第五章 总结与展望第59-61页
    5.1 总结第59-60页
    5.2 展望第60-61页
致谢第61-63页
攻读硕士学位期间发表的学术论文第63页

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