| 摘要 | 第3-6页 |
| abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-35页 |
| 1.1 LED简介 | 第13-18页 |
| 1.1.1 LED的几种材料体系 | 第13-15页 |
| 1.1.2 LED的发展历史 | 第15-16页 |
| 1.1.3 GaN基LED的三大技术路线 | 第16-18页 |
| 1.2 Si衬底GaN基LED技术 | 第18-20页 |
| 1.2.1 Si衬底GaN基LED技术的优势 | 第18页 |
| 1.2.2 Si衬底GaN基LED的研究进展 | 第18-20页 |
| 1.3 超晶格与量子阱结构 | 第20-26页 |
| 1.3.1 超晶格与量子阱的区别 | 第20-21页 |
| 1.3.2 超晶格的类型 | 第21-24页 |
| 1.3.3 InGaN/GaN多量子阱的基本性质 | 第24-26页 |
| 1.4 GaN基LED的发光效率及Droop效应 | 第26-29页 |
| 1.4.1 GaN基LED的发光效率 | 第26-27页 |
| 1.4.2 GaN基LED的Droop效应 | 第27-29页 |
| 1.5 制约GaN基LED发光效率提升的两大实际问题 | 第29-33页 |
| 1.5.1 GaN基LED异质结构中量子阱有源区存在强极化电场 | 第29-32页 |
| 1.5.2 GaN基LED异质结构中存在高位错密度 | 第32-33页 |
| 1.6 本论文的研究内容及行文安排 | 第33-35页 |
| 第2章 InGaN/GaN超晶格厚度对Si衬底GaN基蓝光LED性能的影响 | 第35-51页 |
| 2.1 引言 | 第35-36页 |
| 2.2 实验 | 第36-37页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第37-50页 |
| 2.3.1 InGaN/GaN超晶格厚度对GaN基蓝光LED反向漏电流的影响 | 第37-45页 |
| 2.3.2 InGaN/GaN超晶格厚度对GaN基蓝光LED光学性能的影响 | 第45-48页 |
| 2.3.3 InGaN/GaN超晶格厚度对GaN基蓝光LED显微结构的影响 | 第48-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第3章 InGaN/GaN超晶格生长温度对Si衬底GaN基绿光LED性能的影响 | 第51-65页 |
| 3.1 引言 | 第51-52页 |
| 3.2 实验 | 第52-53页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第53-64页 |
| 3.3.1 InGaN/GaN超晶格温度对GaN基绿光LED常温光电性能的影响 | 第53-57页 |
| 3.3.2 InGaN/GaN超晶格温度对GaN基绿光LED低温Droop的影响 | 第57-64页 |
| 3.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第4章 InGaN/GaN超晶格应力释放层中InGaN/GaN厚度比对Si衬底GaN基绿光LED性能的影响 | 第65-82页 |
| 4.1 引言 | 第65-66页 |
| 4.2 实验 | 第66-67页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第67-80页 |
| 4.3.1 InGaN/GaN超晶格应力释放层中InGaN/GaN厚度比对GaN基绿光LED电学性能的影响 | 第67-74页 |
| 4.3.2 InGaN/GaN超晶格应力释放层中InGaN/GaN厚度比对GaN基绿光LED发光效率的影响 | 第74-77页 |
| 4.3.3 InGaN/GaN超晶格应力释放层中InGaN/GaN厚度比对GaN基绿光LED阴极荧光特性的影响 | 第77-80页 |
| 4.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第5章 量子阱中阱厚对Si衬底GaN基黄光LED性能的影响 | 第82-104页 |
| 5.1 引言 | 第82-83页 |
| 5.2 实验 | 第83-84页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第84-102页 |
| 5.3.1 量子阱厚度对GaN基黄光LED常温光电性能的影响 | 第84-99页 |
| 5.3.2 量子阱厚度对GaN基黄光LED温度droop的影响 | 第99-102页 |
| 5.4 本章小结 | 第102-104页 |
| 第6章 量子阱区生长参数对Si衬底GaN基黄-绿光LED性能的影响 | 第104-127页 |
| 6.1 量子阱周期数对Si衬底GaN基黄-绿光LED性能的影响 | 第104-114页 |
| 6.1.1 实验 | 第105-106页 |
| 6.1.2 结果与讨论 | 第106-113页 |
| 6.1.3 小结 | 第113-114页 |
| 6.2 量子阱阱厚对Si衬底GaN基黄-绿光LED性能的影响 | 第114-119页 |
| 6.2.1 实验 | 第114-115页 |
| 6.2.2 结果与讨论 | 第115-119页 |
| 6.2.3 小结 | 第119页 |
| 6.3 量子垒生长温度对Si衬底GaN基黄-绿光LED性能的影响 | 第119-127页 |
| 6.3.1 实验 | 第120-121页 |
| 6.3.2 结果与讨论 | 第121-125页 |
| 6.3.3 小结 | 第125-127页 |
| 第7章 总结和展望 | 第127-130页 |
| 致谢 | 第130-131页 |
| 参考文献 | 第131-147页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第147页 |
