| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-22页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 有机场效应晶体管（OFET）的研究进展 | 第10-13页 |
| 1.3 OFET的特点及应用 | 第13页 |
| 1.4 OFET的研究现状和目前面临的主要问题 | 第13-16页 |
| 1.4.1 OFET的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4.2 OFET研究中面临的主要问题 | 第15-16页 |
| 1.5 本论文的研究工作及创新点 | 第16-18页 |
| 1.5.1 本论文的研究目的 | 第16页 |
| 1.5.2 本论文的创新点 | 第16页 |
| 1.5.3 本论文的主要研究内容 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-22页 |
| 第二章 OFET结构、工作原理、材料及表征参数 | 第22-37页 |
| 2.1 OFET的基本结构和工作原理 | 第22-24页 |
| 2.1.1 OFET的基本结构 | 第22-23页 |
| 2.1.2 OFET的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.2 OFET的材料和制备工艺 | 第24-29页 |
| 2.2.1 衬底材料 | 第24-25页 |
| 2.2.2 绝缘层介质材料 | 第25-26页 |
| 2.2.3 活性层材料 | 第26-28页 |
| 2.2.4 电极材料 | 第28-29页 |
| 2.3 OFET的表征 | 第29-32页 |
| 2.3.1 OFET的输出和转移特性 | 第29-30页 |
| 2.3.2 表征OFET的性能参数 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-37页 |
| 第三章 协同界面修饰提升富勒烯OFET性能研究 | 第37-66页 |
| 3.1 研究背景 | 第37-38页 |
| 3.2 器件的制备及表征 | 第38-41页 |
| 3.2.1 制备器件的材料及工艺 | 第38-40页 |
| 3.2.2 器件的测试表征 | 第40-41页 |
| 3.3 器件的测试与讨论 | 第41-58页 |
| 3.3.1 载流子传输界面修饰对OFET电学特性影响研究 | 第44-47页 |
| 3.3.2 载流子注入界面修饰对OFET电学特性影响研究 | 第47-51页 |
| 3.3.3 界面修饰对OFET光敏特性影响研究 | 第51-58页 |
| 3.4 OFET可重复性和稳定性的进一步研究 | 第58-59页 |
| 3.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 第四章 界面修饰提升宽谱光探测器性能研究 | 第66-87页 |
| 4.1 研究背景 | 第66-67页 |
| 4.2 器件的制备及表征 | 第67-68页 |
| 4.3 器件的测试与讨论 | 第68-81页 |
| 4.3.1 材料吸收特性研究 | 第68-69页 |
| 4.3.2 薄膜形态学和晶体结构特性研究 | 第69-70页 |
| 4.3.3 光探测特性研究 | 第70-78页 |
| 4.3.4 能级分析和理论解释 | 第78-81页 |
| 4.4 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-87页 |
| 第五章 总结与展望 | 第87-90页 |
| 5.1 全文总结 | 第87页 |
| 5.2 研究展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 附录A 缩写词列表 | 第90-92页 |
| 附录B 物理量符号列表 | 第92-94页 |
| 附录C OFET源极电子注入势垒降低推导 | 第94-98页 |
| 在学期间的研究成果及获奖情况 | 第98-100页 |
| 致谢 | 第100-101页 |