| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1.1 引言 | 第8-9页 |
| 1.2 磁电阻效应 | 第9页 |
| 1.3 半导体磁电阻特性研究现状 | 第9-11页 |
| 1.4 Si基p-n结磁电阻特性研究现状 | 第11-15页 |
| 1.5 Si基p-n结磁电阻特性研究面临的主要问题 | 第15页 |
| 1.6 本论文的主要内容 | 第15-17页 |
| 第二章 平面型p-n结磁电阻特性 | 第17-37页 |
| 2.1 数值仿真基本模型 | 第17-21页 |
| 2.2 平面型p-n结磁电阻特性 | 第21-27页 |
| 2.2.1 正偏p-n结的磁电阻特性 | 第21-26页 |
| 2.2.2 反偏p-n结的磁电阻特性 | 第26-27页 |
| 2.3 平面型p-n结几何结构对磁电阻的影响 | 第27-29页 |
| 2.4 p-i-n结的磁电阻特性 | 第29-35页 |
| 2.4.1 i区宽度对磁电阻的影响 | 第29-31页 |
| 2.4.2 p-i-n结的电流-电压方程 | 第31-33页 |
| 2.4.3 p-i-n结电流随i区宽度的非单调性变化规律 | 第33-35页 |
| 2.5 小结 | 第35-37页 |
| 第三章 MOS栅型p-n结磁电阻特性 | 第37-49页 |
| 3.1 MOS栅型p-n结器件的基本结构与工作原理 | 第37-42页 |
| 3.1.1 正栅压下的磁电阻特性 | 第39-41页 |
| 3.1.2 负栅压下的磁电阻特性 | 第41-42页 |
| 3.2 氧化层厚度对磁电阻的影响 | 第42-43页 |
| 3.3 电极几何结构对磁电阻的影响 | 第43-44页 |
| 3.4 MOS栅型p-n结逻辑器件 | 第44-48页 |
| 3.5 小结 | 第48-49页 |
| 第四章 介质隧穿MOS栅型p-n结磁电阻特性 | 第49-58页 |
| 4.1 隧穿模型简介 | 第49-50页 |
| 4.2 隧穿效应对MOS栅型p-n结磁电阻特性的影响 | 第50-54页 |
| 4.2.1 双栅隧穿下的磁电阻特性 | 第51-54页 |
| 4.2.2 单栅隧穿下的磁电阻特性 | 第54页 |
| 4.3 掺杂浓度与MOS栅型p-n结磁电阻的关系 | 第54-55页 |
| 4.4 MOS栅型p-n结磁电阻与器件几何结构的关系 | 第55-57页 |
| 4.4.1 p-n结几何结构对磁电阻的影响 | 第55-56页 |
| 4.4.2 隧穿层厚度对磁电阻的影响 | 第56-57页 |
| 4.5 小结 | 第57-58页 |
| 第五章 主要结论与研究展望 | 第58-60页 |
| 5.1 主要结果及结论 | 第58-59页 |
| 5.2 研究展望 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 在学期间的研究成果 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
