| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第14-21页 |
| 1.1 半导体功率器件的发展 | 第14-15页 |
| 1.2 研究背景 | 第15-18页 |
| 1.3 选题意义及研究内容 | 第18-21页 |
| 1.3.1 选题意义 | 第18-20页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第20-21页 |
| 第2章 一种单外部驱动的SiC MOSFET串联方法 | 第21-36页 |
| 2.1 半导体功率器件串联方法 | 第21-27页 |
| 2.1.1 栅极驱动均压 | 第21-22页 |
| 2.1.2 负载侧均压 | 第22-23页 |
| 2.1.3 箝位均压 | 第23-24页 |
| 2.1.4 控制均压法 | 第24-26页 |
| 2.1.5 单一外部驱动器件串联电路 | 第26-27页 |
| 2.2 单一外部驱动SiC MOSFET串联方法电路原理 | 第27-35页 |
| 2.2.1 SiC MOSFET串联电路开通过程分析 | 第28-32页 |
| 2.2.2 SiC MOSFET串联电路关断过程分析 | 第32-35页 |
| 2.3 本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 单外部驱动SiC MOSFET串联电路设计与测试 | 第36-51页 |
| 3.1 SiC MOSFET串联电路的设计 | 第36-38页 |
| 3.2 SiC MOSFET串联电路的测试 | 第38-41页 |
| 3.2.1 双脉冲测试原理 | 第38-39页 |
| 3.2.2 双脉冲测试平台的搭建 | 第39-41页 |
| 3.3 SiC MOSFET器件的选择 | 第41-47页 |
| 3.3.1 SiC MOSFET静态特性 | 第42-46页 |
| 3.3.2 SiC MOSFET的动态特性 | 第46-47页 |
| 3.4 单外部驱动SiC MOSFET串联电路的测试 | 第47-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 SiC MOSFET串联模块设计与测试 | 第51-69页 |
| 4.1 电力电子功率模块的封装 | 第51-53页 |
| 4.2 SiC MOSFET串联模块的设计 | 第53-55页 |
| 4.3 SiC MOSFET串并联模块制作 | 第55-68页 |
| 4.3.1 3600V/100A SiC MOSFET功率模块 | 第55-60页 |
| 4.3.2 10kV/100A SiC MOSFET功率模块 | 第60-62页 |
| 4.3.3 10kV/200A SiC MOSFET功率模块 | 第62-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第5章 总结与展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 发表论文及成果 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76页 |
