耐高压肖特基二极管的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-14页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 肖特基二极管的应用及发展现状 | 第9-11页 |
| 1.3 论文研究的主要内容以及选题意义 | 第11-13页 |
| 1.4 本论文的章节安排 | 第13-14页 |
| 2 二极管的基本原理 | 第14-28页 |
| 2.1 功率二极管 | 第14页 |
| 2.2 PiN二极管 | 第14-16页 |
| 2.2.1 正向导通特性 | 第15-16页 |
| 2.2.2 反向击穿特性 | 第16页 |
| 2.3 肖特基势垒二极管 | 第16-27页 |
| 2.3.1 肖特基接触 | 第16-19页 |
| 2.3.2 欧姆接触 | 第19-20页 |
| 2.3.3 正向导通特性 | 第20-22页 |
| 2.3.4 反向击穿特性 | 第22-25页 |
| 2.3.5 肖特基势垒电容 | 第25-26页 |
| 2.3.6 反向恢复特性 | 第26-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 硅基肖特基二极管的结构设计 | 第28-35页 |
| 3.1 势垒区设计 | 第28-31页 |
| 3.1.1 反向击穿电压 | 第28-29页 |
| 3.1.2 导通压降与反向漏电流 | 第29-31页 |
| 3.2 终端结构设计 | 第31-33页 |
| 3.2.1 场限环的设计 | 第31-33页 |
| 3.3 SBD器件的场板技术 | 第33-34页 |
| 3.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 4 肖特基二极管的工艺设计 | 第35-49页 |
| 4.1 硅外延片的准备 | 第35页 |
| 4.2 制备工艺流程 | 第35-37页 |
| 4.3 表面氧化 | 第37-39页 |
| 4.3.1 SiO2薄膜的作用 | 第37页 |
| 4.3.2 SiO2薄膜的制备 | 第37-39页 |
| 4.4 光刻腐蚀 | 第39-41页 |
| 4.5 离子注入 | 第41-42页 |
| 4.6 退火 | 第42页 |
| 4.7 势垒溅射及形成 | 第42-44页 |
| 4.7.1 NiPt60溅射 | 第42-43页 |
| 4.7.2 硅化物形成 | 第43-44页 |
| 4.8 电极制备 | 第44-45页 |
| 4.9 测试分析与讨论 | 第45-48页 |
| 4.10 本章小结 | 第48-49页 |
| 5 器件及工艺的仿真 | 第49-57页 |
| 5.1 仿真软件 | 第49-51页 |
| 5.2 器件仿真 | 第51-55页 |
| 5.2.1 正向特性 | 第52-53页 |
| 5.2.2 反向特性 | 第53-55页 |
| 5.3 工艺仿真 | 第55页 |
| 5.4 本章小结 | 第55-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第62页 |
