| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 Ge界面钝化的研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 Ge界面钝化研究的国内外现状 | 第9-10页 |
| 1.3 研究内容 | 第10-11页 |
| 第二章 平面器件的发展对Ge材料的需求 | 第11-22页 |
| 2.1 器件的发展方向 | 第11-14页 |
| 2.2 器件尺寸的缩小 | 第14-16页 |
| 2.2.1 采用high-k栅介质取代SiO_2的原因 | 第14-16页 |
| 2.2.2 采用减小界面钝化层(IL)厚度来降低EOT的原因 | 第16页 |
| 2.3 载流子速度的提高 | 第16-20页 |
| 2.3.1 额定迁移率的衰减 | 第17-18页 |
| 2.3.2 迁移率的衰减 | 第18-20页 |
| 2.4 本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 High-K栅介质/Ge界面钝化技术的研究 | 第22-37页 |
| 3.1 Ge界面钝化技术的研究进展 | 第22-23页 |
| 3.2 常见的钝化技术研究 | 第23-32页 |
| 3.2.1 氮钝化技术的研究 | 第23-24页 |
| 3.2.2 硅钝化技术的研究 | 第24-26页 |
| 3.2.3 硫钝化技术的研究 | 第26-27页 |
| 3.2.4 氧钝化技术的研究 | 第27-30页 |
| 3.2.5 常见钝化技术的对比研究 | 第30-32页 |
| 3.3 High-k/GeO_x/Ge界面等离子体后氧化GeO_2界面钝化技术的研究 | 第32-36页 |
| 3.3.1 简介 | 第32页 |
| 3.3.2 等离子体后氧化技术形成GeO_2栅堆叠架构的演变 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第四章 High-K栅介质/Ge界面钝化层检测技术的研究 | 第37-44页 |
| 4.1 几种具有代表性的光谱技术的对比研究 | 第37-40页 |
| 4.1.1 能量色散X射线分析(EDX)和波长色散X射线分析(WDX) | 第37-38页 |
| 4.1.2 X射线荧光(XRF)和总反射X射线荧光(TXRF) | 第38页 |
| 4.1.3 紫外线光电子能谱(UPS) | 第38页 |
| 4.1.4 俄歇电子能谱(AES) | 第38-39页 |
| 4.1.5 二次离子质谱(SIMS) | 第39页 |
| 4.1.6 X射线光电子能谱技术(XPS) | 第39-40页 |
| 4.2 Ge界面钝化层XPS测量谱图的分峰拟合模型及方法 | 第40-42页 |
| 4.2.1 Ge界面钝化层XPS测量谱图分峰拟合模型 | 第40-41页 |
| 4.2.2 Ge界面钝化层XPS测量谱图分峰拟合方法 | 第41-42页 |
| 4.3 Ge界面钝化层XPS测量信息深度的分析研究 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 GeO_2界面层的制备及生长机理的研究 | 第44-54页 |
| 5.1 样品制备工艺 | 第44-45页 |
| 5.2 分析与讨论 | 第45-53页 |
| 5.2.1 角分辨X射线光电子光谱技术(AR-XPS)测量参数及分峰 | 第45-46页 |
| 5.2.2 GeO_2界面层厚度的测量计算 | 第46-47页 |
| 5.2.3 对GeO_2界面层生长机制的研究 | 第47-49页 |
| 5.2.4 对震荡振幅的验证 | 第49-50页 |
| 5.2.5 GeO_2界面层中各价态Ge的分布 | 第50-53页 |
| 5.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 结论与展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-62页 |
| 在学期间的研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
