| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-29页 |
| 1.1 引言 | 第11-13页 |
| 1.2 薄膜型场效应晶体管的工作原理 | 第13-17页 |
| 1.2.1 TFT的主要结构 | 第13页 |
| 1.2.2 TFT的工作原理 | 第13-15页 |
| 1.2.3 TFT的主要特性参数 | 第15-17页 |
| 1.3 薄膜场效应晶体管的发展历程 | 第17-20页 |
| 1.4 ZnO基材料和TFT器件 | 第20-27页 |
| 1.5 论文选题依据和主要研究内容 | 第27-29页 |
| 第2章 实验设备及表征测试方法 | 第29-38页 |
| 2.1 绝缘层和有源层的制备-脉冲激光沉积 | 第29-32页 |
| 2.2 源漏极制备-电阻蒸发式镀膜 | 第32页 |
| 2.3 X射线衍射仪（XRD） | 第32-33页 |
| 2.4 原子力显微镜（AFM） | 第33-34页 |
| 2.5 扫描电子显微镜（SEM） | 第34-35页 |
| 2.6 表面轮廓扫描仪（台阶仪） | 第35页 |
| 2.7 光致发光（PL） | 第35页 |
| 2.8 紫外-可见分光光度计（UV-Vis） | 第35-36页 |
| 2.9 器件的测量-吉时利 4200-SCS半导体分析仪 | 第36-38页 |
| 第3章 TFT器件的微加工工艺 | 第38-51页 |
| 3.1 光刻工艺简介 | 第38-42页 |
| 3.2 器件结构和掩膜版 | 第42-44页 |
| 3.3 光刻法制备器件的工艺流程 | 第44-47页 |
| 3.4 有源层和器件分析 | 第47-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 绝缘层对MgZnO-TFT器件性能的影响 | 第51-62页 |
| 4.1 Al_2O_3材料的选择 | 第51页 |
| 4.2 Al_2O_3绝缘材料的制备和表征 | 第51-54页 |
| 4.3 在Al_2O_3绝缘层上生长的MgZn O薄膜及性能表征 | 第54-58页 |
| 4.4 不同条件下Al_2O_3绝缘层TFT器件的结果 | 第58-60页 |
| 4.5 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 有源层结构优化对TFT器件性能的影响 | 第62-77页 |
| 5.1 有源层的优化 | 第62-67页 |
| 5.1.1 MgZnO薄膜的XRD结果分析 | 第63-64页 |
| 5.1.2 MgZnO薄膜的表面形貌分析 | 第64-65页 |
| 5.1.3 MgZnO薄膜的PL光谱分析 | 第65-66页 |
| 5.1.4 MgZnO-TFT器件结果分析 | 第66-67页 |
| 5.2 ZnO/MgZnO异质结构及其TFT器件制备和表征 | 第67-76页 |
| 5.2.1 ZnO/MgZnO异质结构薄膜的制备 | 第69-70页 |
| 5.2.2 ZnO/MgZnO异质结构薄膜的光电性能测量 | 第70-74页 |
| 5.2.3 ZnO/MgZnO-TFT器件 | 第74-76页 |
| 5.3 本章小结 | 第76-77页 |
| 第6章 TFT器件结构优化的初步探索 | 第77-85页 |
| 6.1 不同宽长比底栅MgZnO-TFT器件分析 | 第77-79页 |
| 6.2 表面覆盖以Al_2O_3为保护层后的器件 | 第79-81页 |
| 6.3 顶栅MgZn O-TFT器件的制备及表征初探 | 第81-84页 |
| 6.4 本章小结 | 第84-85页 |
| 第7章 结论与展望 | 第85-87页 |
| 7.1 结论 | 第85-86页 |
| 7.2 展望 | 第86-87页 |
| 参考文献 | 第87-92页 |
| 致谢 | 第92-93页 |
| 硕士期间参与的科研项目与研究成果 | 第93页 |
