| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 MOSFET发展历史简介 | 第8-9页 |
| 1.2 MOSFET研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 MOSFET发展面临的挑战 | 第10-14页 |
| 1.3.1 加强栅控制 | 第11-12页 |
| 1.3.2 减小漏端耦合 | 第12-13页 |
| 1.3.3 提高驱动能力 | 第13-14页 |
| 1.3.4 降低功耗 | 第14页 |
| 1.4 本文的主要内容 | 第14-16页 |
| 第二章 DDPGPD MOSFET基本结构和实现工艺 | 第16-23页 |
| 2.1 DDPGPD MOSFET基本结构 | 第16-17页 |
| 2.2 DDPGPD MOSFET工艺实现 | 第17-21页 |
| 2.2.1 DDPGPD MOSFET工艺流程 | 第17-18页 |
| 2.2.2 DDPGPD MOSFET工艺模拟 | 第18-21页 |
| 2.3 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 DDPGPD MOSFET直流电学特性研究 | 第23-45页 |
| 3.1 DDPGPD MOSFET阈值电压分析 | 第23-29页 |
| 3.1.1 DDPGPD的Vth基本理论 | 第24-25页 |
| 3.1.2 S-gate、D-gate浓度对Vth的影响 | 第25-26页 |
| 3.1.3 P+掩埋层对Vth的影响 | 第26-27页 |
| 3.1.4 D-gate氧化层对Vth的影响 | 第27-29页 |
| 3.2 D-gate掺杂对DDPGPD MOSFET直流特性的影响 | 第29-32页 |
| 3.2.1 D-gate浓度对电势和电场的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 D-gate浓度对漏电流的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 DDPGPD MOSFET泄漏电流的研究 | 第32-42页 |
| 3.3.1 DDPGPD关态电流分析 | 第32-35页 |
| 3.3.2 P+掩埋层对I_(off)和I_(on)的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.3 栅长对I_(off)和I_(on)的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.4 DDPGPD栅泄漏电流分析 | 第37-40页 |
| 3.3.5 D-gate氧化层厚度对I_G和I_(on)的影响 | 第40-41页 |
| 3.3.6 栅长对I_G的影响 | 第41-42页 |
| 3.4 DDPGPD MOSFET DIBL效应的研究 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 DDPGPD MOSFET瞬态特性研究 | 第45-55页 |
| 4.1 DDPGPD MOSFET栅电容分析 | 第45-49页 |
| 4.1.1 栅本征电容组成 | 第45-48页 |
| 4.1.2 P+掩埋层和D-gate氧化层对栅电容影响 | 第48-49页 |
| 4.2 DDPGPD MOSFET跨导分析 | 第49-52页 |
| 4.2.1 P+掩埋层和D-gate氧化层对跨导影响 | 第49-51页 |
| 4.2.2 不同尺寸器件g_m比较 | 第51-52页 |
| 4.3 DDPGPD MOSFET截止频率的分析 | 第52-54页 |
| 4.3.1 P+掩埋层和D-gate氧化层对f_T的影响 | 第52-53页 |
| 4.3.2 不同尺寸器件f_T比较 | 第53-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-63页 |
| 致谢 | 第63-64页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第64页 |
