TiO2薄膜的制备、改性及其光催化性能研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 纳米二氧化钛薄膜的制备方法 | 第10-12页 |
| 1.1.1 磁控溅射沉积 | 第10-11页 |
| 1.1.2 化学气相沉积(CVD) | 第11页 |
| 1.1.3 溶胶-凝胶(Sol-Gel)法 | 第11页 |
| 1.1.4 水热法 | 第11-12页 |
| 1.1.5 电化学法 | 第12页 |
| 1.2 氧化钛薄膜的应用 | 第12-14页 |
| 1.2.1 光催化方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.2.2 光电材料方面的应用 | 第13页 |
| 1.2.3 抗菌方面的应用 | 第13-14页 |
| 1.2.4 紫外屏蔽剂 | 第14页 |
| 1.3 提高二氧化钛活性的方法 | 第14-17页 |
| 1.3.1 贵金属沉积 | 第14-15页 |
| 1.3.2 金属离子掺杂 | 第15页 |
| 1.3.3 非金属掺杂 | 第15-16页 |
| 1.3.4 半导体复合 | 第16页 |
| 1.3.5 制备特殊形貌TiO_2 | 第16-17页 |
| 1.4 光催化机理 | 第17-18页 |
| 1.5 本文的研究内容 | 第18页 |
| 2 纳米薄膜材料的制备 | 第18-30页 |
| 2.1 实验原料及仪器设备选择 | 第19页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第19页 |
| 2.1.2 实验仪器设备 | 第19页 |
| 2.2 纳米薄膜材料的制备方法 | 第19-20页 |
| 2.2.1 衬底材料的清洗 | 第19-20页 |
| 2.2.2 旋涂液的制备 | 第20页 |
| 2.2.3 旋涂法制备TiO_2薄膜 | 第20页 |
| 2.2.4 TiO_2薄膜退火处理 | 第20页 |
| 2.3 浆料法配比对涂层的影响 | 第20-21页 |
| 2.4 吸附性能测试 | 第21页 |
| 2.5 光催化性能测试 | 第21-23页 |
| 2.6 结果与讨论 | 第23-30页 |
| 2.6.1 XRD测试分析 | 第23-24页 |
| 2.6.2 UV-vis光谱测试分析 | 第24-25页 |
| 2.6.3 DSC分析 | 第25-26页 |
| 2.6.4 扫描电镜分析 | 第26-27页 |
| 2.6.5 吸附性能 | 第27-29页 |
| 2.6.6 光催化性能 | 第29-30页 |
| 2.7 本章小结 | 第30页 |
| 3 光沉积法制备Ag/TiO_2复合薄膜 | 第30-42页 |
| 3.1 实验原料及仪器设备选择 | 第31-32页 |
| 3.1.1 实验原料 | 第31页 |
| 3.1.2 实验仪器设备 | 第31-32页 |
| 3.2 实验步骤 | 第32页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第32-35页 |
| 3.3.1 SEM分析 | 第32页 |
| 3.3.2 TEM分析 | 第32-34页 |
| 3.3.3 XPS分析 | 第34-35页 |
| 3.4 不同制备条件对催化性能的影响 | 第35-40页 |
| 3.4.1 不同沉积时间催化性能的影响 | 第35-38页 |
| 3.4.2 不同热处理温度对催化性能的影响 | 第38-40页 |
| 3.5 重复性实验 | 第40-41页 |
| 3.6 光生电流实验 | 第41-42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42页 |
| 4 电沉积方法制备Ag/TiO_2复合薄膜 | 第42-58页 |
| 4.1 实验原料及仪器设备选择 | 第43页 |
| 4.1.1 实验原料 | 第43页 |
| 4.1.2 实验仪器设备 | 第43页 |
| 4.2 实验步骤 | 第43-44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-49页 |
| 4.3.1 XRD分析 | 第44-45页 |
| 4.3.2 UV-vis光谱分析 | 第45页 |
| 4.3.3 SEM分析 | 第45-47页 |
| 4.3.4 TEM分析 | 第47-48页 |
| 4.3.5 XPS分析 | 第48-49页 |
| 4.4 不同制备条件对催化性能的影响 | 第49-56页 |
| 4.4.1 不同退火温度材料性能的影响 | 第49-51页 |
| 4.4.2 不同脉冲次数对材料性能的影响 | 第51-52页 |
| 4.4.3 不同脉冲电流密度对材料性能的影响 | 第52-54页 |
| 4.4.4 不同间歇时间对材料性能的影响 | 第54-56页 |
| 4.5 交流阻抗实验 | 第56-57页 |
| 4.6 光生电流实验 | 第57-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58页 |
| 5 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 附录 | 第66页 |
