摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 绪论 | 第11-13页 |
第二章 文献综述 | 第13-33页 |
2.1 引言 | 第13页 |
2.2 TiO_2发光特性的研究进展 | 第13-24页 |
2.2.1 TiO_2光致发光的研究进展 | 第13-18页 |
2.2.2 TiO_2器件电致发光的研究进展 | 第18-24页 |
2.3 ALD制备方法的研究进展 | 第24-28页 |
2.3.1 ALD简介 | 第24-26页 |
2.3.2 ALD方法制备的TiO_2的应用 | 第26-28页 |
2.4 B掺杂TiO_2的研究进展 | 第28-33页 |
2.4.1 B掺杂TiO_2的制备方法 | 第28-29页 |
2.4.2 B原子在TiO_2晶格中的位置 | 第29-31页 |
2.4.3 掺杂B对TiO_2性能的影响 | 第31-33页 |
第三章 材料制备和表征设备 | 第33-37页 |
3.1 材料生长设备 | 第33-34页 |
3.1.1 原子层沉积设备 | 第33页 |
3.1.2 射频溅射设备 | 第33页 |
3.1.3 薄膜热处理设备 | 第33页 |
3.1.4 直流溅射设备 | 第33-34页 |
3.2 器件制备工艺 | 第34页 |
3.2.1 硅衬底的清洗 | 第34页 |
3.2.2 发光层的制备和热处理 | 第34页 |
3.2.3 电极的制备 | 第34页 |
3.3 材料和器件的测试设备 | 第34-37页 |
3.3.1 X射线衍射仪 | 第34-35页 |
3.3.2 扫描电子显微镜 | 第35页 |
3.3.3 原子力显微镜 | 第35页 |
3.3.4 一次(?) | 第35页 |
3.3.5 X射线光电子能谱仪 | 第35页 |
3.3.6 拉曼显微镜 | 第35-36页 |
3.3.7 器件电学性能测试设备 | 第36页 |
3.3.8 光致发光/电致发光测试系统 | 第36-37页 |
第四章 ALD法制备的TiO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第37-47页 |
4.1 引言 | 第37页 |
4.2 器件的制备和结构 | 第37-39页 |
4.3 衬底温度对TiO_2/p~+-Si器件电致发光的影响 | 第39-40页 |
4.4 热处理气氛对TiO_2/p~+-Si器件电致发光的影响 | 第40-42页 |
4.5 原子层沉积法与射频溅射法制备的TiO_2薄膜以及器件的对比 | 第42-45页 |
4.5.1 两种方法制备的TiO_2薄膜结晶性能及其形貌的对比 | 第42-43页 |
4.5.2 两种方法制备的TiO_2薄膜光致发光的对比 | 第43-44页 |
4.5.3 两种方法制备的TiO_2/p~+-Si器件电致发光的对比 | 第44-45页 |
4.6 本章小结 | 第45-47页 |
第五章 波长可调的TiO_2/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第47-59页 |
5.1 引言 | 第47页 |
5.2 器件的制备和结构 | 第47-49页 |
5.3 热处理对TiO_2薄膜以及TiO_2/p~+-Si器件性能的影响 | 第49-54页 |
5.3.1 热处理温度对TiO_2薄膜以及TiO_2/p~+-Si器件性能的影响 | 第49-52页 |
5.3.2 热处理时间对TiO_2/p~+-Si器件电致发光的影响 | 第52-54页 |
5.4 薄膜厚度对TiO_2/p~+-Si器件电致发光的影响 | 第54-56页 |
5.4.1 TiO_2薄膜的厚度对TiO_2/p~+-Si器件电致发光的影响 | 第54-55页 |
5.4.2 ZnO盖层对TiO_2/p~+-Si器件电致发光的影响 | 第55-56页 |
5.5 器件波长可调的机理分析 | 第56-57页 |
5.6 本章小结 | 第57-59页 |
第六章 TiO_2:B/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第59-69页 |
6.1 引言 | 第59页 |
6.2 器件的制备和结构 | 第59-60页 |
6.3 不同B的掺杂浓度的TiO_2:B薄膜以及TiO_2:B/p~+-Si异质结器件 | 第60-66页 |
6.3.1 B的摩尔浓度为1%时TiO_2:B薄膜以及TiO_2:B/p~+-Si异质结器件 | 第60-64页 |
6.3.2 B的摩尔浓度为5%时TiO_2:B/p~+-Si异质结器件的电致发光 | 第64-66页 |
6.4 器件电致发光的机理分析 | 第66-67页 |
6.5 本章小结 | 第67-69页 |
第七章 总结 | 第69-71页 |
参考文献 | 第71-83页 |
致谢 | 第83-85页 |
个人简历 | 第85-87页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第87页 |