| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-24页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 霍尔器件研究发展 | 第16-19页 |
| 1.2.1 霍尔效应发展 | 第16-17页 |
| 1.2.2 磁传感器种类 | 第17-18页 |
| 1.2.3 霍尔器件材料发展 | 第18-19页 |
| 1.3 霍尔器件应用 | 第19-20页 |
| 1.4 霍尔器件未来发展 | 第20-21页 |
| 1.5 本文研究意义和主要内容 | 第21-24页 |
| 第二章 霍尔器件原理以及基本设计参数 | 第24-32页 |
| 2.1 霍尔效应基本原理 | 第24-26页 |
| 2.2 不等位电势的产生和克服 | 第26-27页 |
| 2.3 霍尔器件设计 | 第27-31页 |
| 2.3.1 材料的选择 | 第27-29页 |
| 2.3.2 器件图形和尺寸的选择 | 第29-31页 |
| 2.4 总结 | 第31-32页 |
| 第三章 霍尔器件对位偏差Maxwell仿真 | 第32-44页 |
| 3.1 Maxwell仿真软件介绍 | 第32-34页 |
| 3.1.1 有限元分析法 | 第32页 |
| 3.1.2 Maxwell仿真软件 | 第32-34页 |
| 3.2 Maxwell仿真过程 | 第34-39页 |
| 3.2.1 Maxwell仿真目的 | 第34-35页 |
| 3.2.2 仿真模型建立 | 第35-39页 |
| 3.3 Maxwell仿真及结果分析 | 第39-43页 |
| 3.4 仿真总结 | 第43-44页 |
| 第四章 霍尔器件DOE版图设计及工艺介绍 | 第44-54页 |
| 4.1 DOE介绍 | 第44-45页 |
| 4.2 L-Edit画图软件介绍 | 第45页 |
| 4.3 霍尔器件DOE版图设计内容 | 第45-54页 |
| 4.3.1 工艺步骤 | 第45页 |
| 4.3.2 器件光刻图形设计 | 第45-47页 |
| 4.3.3 DOE试验参数及版图 | 第47-51页 |
| 4.3.4 对准标记 | 第51-52页 |
| 4.3.5 测试图形 | 第52页 |
| 4.3.6 整体版图 | 第52-54页 |
| 第五章 GaAs霍尔器件单项工艺研究及工艺流程设定 | 第54-64页 |
| 5.1 GaAs霍尔元件单项工艺研究 | 第54-60页 |
| 5.1.1 台面腐蚀工艺研究 | 第54-56页 |
| 5.1.2 金属电极制备 | 第56-57页 |
| 5.1.3 欧姆接触工艺研究 | 第57-59页 |
| 5.1.4 钝化工艺 | 第59-60页 |
| 5.2 GaAs霍尔元件工艺流程设定 | 第60-64页 |
| 第六章 器件特性参数测量和结果分析 | 第64-74页 |
| 6.1 器件测量系统 | 第64-65页 |
| 6.2 特性参数测试结果和分析 | 第65-73页 |
| 6.3 小结 | 第73-74页 |
| 第七章 结论与展望 | 第74-76页 |
| 7.1 工作总结 | 第74-75页 |
| 7.2 未来展望 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 作者简介 | 第82-83页 |