| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 表格索引 | 第12-15页 |
| 插图索引 | 第15-19页 |
| 第一章 绪论 | 第19-21页 |
| ·研究内容 | 第19-20页 |
| ·本文结构 | 第20-21页 |
| 第二章 研究方法与背景 | 第21-41页 |
| ·正电子研究背景 | 第21-22页 |
| ·正电子基础理论 | 第22-30页 |
| ·正电子热化与扩散 | 第23-25页 |
| ·正电子捕获 | 第25-26页 |
| ·电子偶素 | 第26页 |
| ·密度泛函理论下的正电子态与湮没特征 | 第26-30页 |
| ·正电子实验方法 | 第30-34页 |
| ·正电子源 | 第31-32页 |
| ·正电子寿命谱 | 第32-33页 |
| ·正电子多普勒展宽谱 | 第33-34页 |
| ·湮没双光子角关联 | 第34页 |
| ·模型检验及实验数据分析方法 | 第34-41页 |
| ·统计方法 | 第34-38页 |
| ·模型比较与检验 | 第38-41页 |
| 第三章 精确获取正电子寿命：理论与实验 | 第41-77页 |
| ·正电子-电子关联 | 第41-44页 |
| ·正电子-电子关联势能 | 第41-42页 |
| ·正电子-电子局域增强因子 | 第42-44页 |
| ·正电子波函数计算方法 | 第44-46页 |
| ·基于中性原子叠加方法的正电子寿命计算 | 第46-50页 |
| ·方法简介 | 第46-47页 |
| ·计算细节及结果 | 第47-50页 |
| ·基于全势缀加平面波方法的正电子寿命计算 | 第50-52页 |
| ·方法简介 | 第50-52页 |
| ·计算细节及结果 | 第52页 |
| ·基于投影缀加平面波方法的正电子寿命计算 | 第52-59页 |
| ·方法简介 | 第52-56页 |
| ·计算细节及结果 | 第56-59页 |
| ·多种正电子寿命计算方法的详细比较 | 第59-66页 |
| ·铝硅晶体中各种正电子计算方法下的寿命结果 | 第59-61页 |
| ·ATSUP方法与FLAPW方法之间的差异分析 | 第61-62页 |
| ·PAW方法下的赝势与重构全势 | 第62-64页 |
| ·三种电子结构计算方法下21种材料中的正电子寿命分析 | 第64-66页 |
| ·正电子实验寿命谱分析 | 第66-77页 |
| ·当前的正电子实验寿命谱解谱软件 | 第67-68页 |
| ·精确的解谱分析方法 | 第68-71页 |
| ·单晶硅的正电子寿命实验解谱结果 | 第71-77页 |
| 第四章 正电子态计算的若干应用 | 第77-97页 |
| ·正电子表面态 | 第77-78页 |
| ·正电子亲和势 | 第78-80页 |
| ·氦泡动力学模拟及其中的正电子寿命计算 | 第80-94页 |
| ·计算方法 | 第81页 |
| ·分子动力学模拟 | 第81-83页 |
| ·氦泡表面氦密度分布 | 第83-85页 |
| ·铝中氦泡的正电子寿命 | 第85-89页 |
| ·氚化钛中的氦空位与氦泡计算 | 第89-93页 |
| ·获取氦泡的大小、浓度、压强参数 | 第93-94页 |
| ·多功能材料的正电子探测 | 第94-97页 |
| 第五章 若干物理模型检验及参数限制 | 第97-117页 |
| ·正电子-电子零点对关联的检验 | 第97-100页 |
| ·正电子-电子增强因子适用范围分析 | 第100-102页 |
| ·参数化的增强因子及限制 | 第102-108页 |
| ·两参数限制 | 第103-106页 |
| ·三参数限制 | 第106-108页 |
| ·若干修改引力模型的检验 | 第108-116页 |
| ·观测数据 | 第108-109页 |
| ·物质增长历史 | 第109页 |
| ·DGP模型检验 | 第109-110页 |
| ·两种f(T)模型检验 | 第110-113页 |
| ·两种f(R)模型检验 | 第113-116页 |
| ·小结 | 第116-117页 |
| 第六章 总结与展望 | 第117-123页 |
| 总结 | 第117-120页 |
| 创新点 | 第120页 |
| 展望 | 第120-123页 |
| 参考文献 | 第123-135页 |
| 附录A 数据 | 第135-139页 |
| A.1 56种材料的正电子体寿命测量值 | 第135页 |
| A.2 56种材料的晶格结构参数 | 第135-139页 |
| 致谢 | 第139-141页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第141-142页 |