基于8～11μm红外窗口系统中减反射与保护膜的研制
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-10页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·发展现状 | 第8-9页 |
| ·课题研究的目的与内容 | 第9-10页 |
| 第二章 薄膜的理论基础 | 第10-16页 |
| ·薄膜的反射率 | 第10-12页 |
| ·等效折射率的计算 | 第12-14页 |
| ·双有效界面法 | 第14-16页 |
| 第三章 材料的选择与膜系设计 | 第16-29页 |
| ·基底的选择 | 第16-20页 |
| ·热压ZnS与CVD/ZnS的性能对比 | 第16-17页 |
| ·多光谱ZnS与CVD/ZnS的性能对比 | 第17-20页 |
| ·保护膜材料的选择 | 第20-25页 |
| ·膜料的透明性 | 第20-21页 |
| ·膜料的折射率 | 第21-22页 |
| ·牢固度与化学稳定性 | 第22页 |
| ·高折射率膜料的选取 | 第22-24页 |
| ·低折射率膜料的选取 | 第24-25页 |
| ·过渡层膜料的选取 | 第25页 |
| ·膜料和基底材料光学常数的获得 | 第25-26页 |
| ·膜系设计 | 第26-29页 |
| 第四章 薄膜沉积设备及制备方法 | 第29-43页 |
| ·薄膜沉积设备及制备方法简述 | 第29页 |
| ·介质层的制备 | 第29-38页 |
| ·真空镀膜设备 | 第29页 |
| ·真空系统 | 第29-30页 |
| ·蒸发系统 | 第30-31页 |
| ·监控方法 | 第31-34页 |
| ·辅助蒸发系统 | 第34-35页 |
| ·晶控Tooling值的计算 | 第35-36页 |
| ·介质层制备工艺 | 第36-38页 |
| ·过渡层的制备 | 第38-41页 |
| ·过渡层制备方法的选择 | 第38-39页 |
| ·磁控溅射设备的工作原理 | 第39-40页 |
| ·过渡层制备工艺 | 第40-41页 |
| ·DLC类金刚石保护膜的制备 | 第41-43页 |
| ·DLC类金刚石保护膜特性 | 第41-42页 |
| ·DLC类金刚石保护膜制备工艺 | 第42-43页 |
| 第五章 测试及结果分析 | 第43-47页 |
| ·测试设备简介 | 第43-44页 |
| ·光谱测试曲线 | 第44-47页 |
| ·测试结果分析 | 第44-45页 |
| ·解决方案 | 第45-47页 |
| 第六章 结论 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-50页 |
