| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-32页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·量子霍尔效应 | 第10-15页 |
| ·拓扑绝缘体研究现状 | 第15-26页 |
| ·二维拓扑绝缘体 | 第15-18页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第18-26页 |
| ·拓扑绝缘体中的拓扑不变量 | 第26-30页 |
| ·TKNN 不变量 | 第26-27页 |
| ·Z2拓扑不变量 | 第27-30页 |
| ·本论文的研究内容和意义 | 第30-32页 |
| 第2章 基础理论和计算方法概述 | 第32-46页 |
| ·密度泛函理论 | 第32-38页 |
| ·多粒子系统的薛定谔方程 | 第32-33页 |
| ·绝热近似和单电子近似 | 第33-34页 |
| ·密度泛函理论 | 第34-36页 |
| ·Kohn-Sham 方程 | 第36-37页 |
| ·交换关联泛函 | 第37-38页 |
| ·赝势方法 | 第38-41页 |
| ·固体中的相对论效应---自旋轨道耦合 | 第41-44页 |
| ·密度泛函自洽过程及 VASP 程序包简介 | 第44-46页 |
| 第3章 应变引起的拓扑相变 | 第46-62页 |
| ·引言 | 第46-48页 |
| ·计算方法与模型 | 第48-50页 |
| ·结果与讨论 | 第50-60页 |
| ·应变作用下的 Sb2Se3和 Bi_2Se_3块体的拓扑相变 | 第50-60页 |
| ·应变作用下的 Sb2Se3和 Bi_2Se_3薄膜的拓扑相变 | 第60页 |
| ·结论 | 第60-62页 |
| 第4章 拓扑绝缘体薄膜的表面与界面研究 | 第62-73页 |
| ·引言 | 第62-63页 |
| ·计算方法与模型 | 第63-64页 |
| ·结果与讨论 | 第64-72页 |
| ·拓扑绝缘体晶体结构和带隙计算 | 第64-66页 |
| ·Bi_2Se_3和 Bi_2Te_3薄膜表面弛豫和电子结构尺寸效应 | 第66-69页 |
| ·石墨烯衬底对拓扑绝缘体薄膜的调制效应 | 第69-72页 |
| ·结论 | 第72-73页 |
| 第5章 半导体衬底对拓扑绝缘体表面与界面的调控 | 第73-84页 |
| ·引言 | 第73-75页 |
| ·计算方法与模型 | 第75-76页 |
| ·结果与讨论 | 第76-83页 |
| ·Bi_2Se_3和 Bi_2Te_3薄膜的功函数 | 第76-78页 |
| ·半导体衬底对拓扑绝缘体费米能级以及表面与界面态的调控研究 | 第78-83页 |
| ·结论 | 第83-84页 |
| 第6章 总结与展望 | 第84-87页 |
| ·总结 | 第84-85页 |
| ·展望 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-97页 |
| 致谢 | 第97-98页 |
| 攻读博士期间论文发表及科研情况 | 第98页 |
