| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-36页 |
| ·二维电子气 | 第9-12页 |
| ·自旋轨道耦合 | 第12-16页 |
| ·拓扑绝缘体简介 | 第16-27页 |
| ·霍尔效应和量子霍尔效应 | 第18-21页 |
| ·二维拓扑绝缘体 | 第21-23页 |
| ·三维拓扑绝缘体 | 第23-27页 |
| ·拓扑绝缘体中的 Rashba 效应 | 第27-34页 |
| ·本文的选题依据和结构安排 | 第34-36页 |
| 第2章 理论与方法 | 第36-46页 |
| ·密度泛函理论 | 第36-42页 |
| ·多体系统哈密顿量 | 第36-37页 |
| ·Born-Oppenheimer 绝热近似 | 第37-38页 |
| ·Hohenberg-Kohn 定理 | 第38-39页 |
| ·Kohn-sham 方程 | 第39-40页 |
| ·交换关联泛函 | 第40-41页 |
| ·能带结构的计算 | 第41-42页 |
| ·第一性原理计算在拓扑绝缘体中的应用 | 第42-46页 |
| 第3章 吸附铅层或铅原子对 Bi_2Se_3薄膜 Rashba 自旋劈裂效应的调制 | 第46-63页 |
| ·引言 | 第46-48页 |
| ·理论方法与模型 | 第48-52页 |
| ·计算方法与模型 | 第48页 |
| ·表面态及表面态的确定 | 第48-50页 |
| ·表面态拓扑性的确定 | 第50-52页 |
| ·铅层的量子尺寸效应对 Rashba 自旋劈裂的调制 | 第52-58页 |
| ·6QL Bi_2Se_3薄膜的拓扑性 | 第52页 |
| ·铅层在 Bi_2Se_3薄膜中诱发的 Rashba 自旋劈裂 | 第52-55页 |
| ·铅层的量子尺寸效应对 Rashba 自旋劈裂的影响 | 第55-58页 |
| ·在 Bi_2Se_3薄膜上吸附铅原子对 Rashba 效应的影响 | 第58-61页 |
| ·小结 | 第61-63页 |
| 第4章 电场对拓扑绝缘体 Bi_2Se_3薄膜中 Rashba 劈裂的调制 | 第63-78页 |
| ·引言 | 第63-65页 |
| ·计算方法和模型 | 第65-66页 |
| ·计算结果和讨论 | 第66-77页 |
| ·范德瓦耳斯力对 Bi_2Se_3薄膜带隙的影响 | 第66-69页 |
| ·电场对不同厚度 Bi_2Se_3薄膜中 Rashba 效应的调制 | 第69-72页 |
| ·外加电场对 Bi_2Se_3薄膜中拓扑态的影响 | 第72-76页 |
| ·高阶 Rashba 项的贡献 | 第76-77页 |
| ·小结 | 第77-78页 |
| 第5章 总结与展望 | 第78-80页 |
| ·总结 | 第78页 |
| ·展望 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-88页 |
| 致谢 | 第88-89页 |
| 攻读学位期间完成的学术论文及研究成果 | 第89-90页 |
