| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·集成电路制造技术概述 | 第7-9页 |
| ·二次离子质谱技术(SIMS)概述 | 第9页 |
| ·本课题的引出 | 第9-11页 |
| 第二章 离子溅射和二次离子质谱仪的原理 | 第11-24页 |
| ·离子溅射 | 第11-17页 |
| ·离子溅射概述 | 第11-12页 |
| ·溅射的主要参数 | 第12-17页 |
| ·二次离子质谱的原理 | 第17-18页 |
| ·二次离子质谱仪的应用 | 第18-24页 |
| ·SIMS深度剖面 | 第18页 |
| ·SIMS数据的量化分析 | 第18-20页 |
| ·离子注入剂量和分布的匹配 | 第20-21页 |
| ·污染物的探测 | 第21-24页 |
| 第三章 二次离子质谱仪的结构和操作方法 | 第24-32页 |
| ·CAMECA IMS-6f二次离子质谱仪的组成和结构 | 第24-26页 |
| ·离子源 | 第24-25页 |
| ·样品交换 | 第25页 |
| ·样品室 | 第25页 |
| ·质谱仪 | 第25页 |
| ·计数和成像区域 | 第25-26页 |
| ·CAMECA 6F二次离子质谱仪的操作方法 | 第26-29页 |
| ·ATOMIKA 4500 二次离子质谱仪的操作方法 | 第29-32页 |
| 第四章 二次离子质谱分析条件的优化 | 第32-40页 |
| ·概述 | 第32页 |
| ·一次离子种类对分析结果的影响 | 第32-34页 |
| ·一次离子入射能量对分析结果的影响 | 第34-36页 |
| ·一次离子束流密度对分析结果的影响 | 第36页 |
| ·一次离子入射角度对分析结果的影响 | 第36-37页 |
| ·收集二次离子种类对分析结果的影响 | 第37-38页 |
| ·二次离子探测器分辨率对分析结果的影响 | 第38-40页 |
| 第五章 二次离子质谱仪杂质污染分析在半导体失效分析中的实际案例 | 第40-56页 |
| ·二次离子质谱法分析BF2 离子注入中带入的金属钼（Mo）污染 | 第40-43页 |
| ·二次离子质谱法分析介质层中掺杂的硼、磷元素扩散进入有源区 | 第43-47页 |
| ·运用二次离子质谱法对硅晶圆中砷的自掺杂效应的研究 | 第47-56页 |
| 第六章 结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |
