| 摘要 | 第1-11页 |
| Abstract | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·课题研究背景 | 第12-15页 |
| ·国内外研究现状 | 第15-16页 |
| ·本文的主要工作 | 第16-17页 |
| ·本文的组织结构 | 第17-18页 |
| 第二章 基准电压源概述 | 第18-24页 |
| ·基准电压源概述 | 第18-19页 |
| ·带隙电压基准理论 | 第19-21页 |
| ·负温度系数电压 | 第19-20页 |
| ·正温度系数电压 | 第20页 |
| ·带隙电压基准 | 第20-21页 |
| ·纯MOS 基准电压源理论 | 第21-22页 |
| ·基准电压源的主要性能指标 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 低供电电压基准电压源的关键参数设计 | 第24-59页 |
| ·低供电电压设计 | 第24-40页 |
| ·电压模基准电压源 | 第25-29页 |
| ·电流模基准电压源 | 第29-33页 |
| ·一种实现低供电电压基准电压源的新方法 | 第33-40页 |
| ·电源抑制提高 | 第40-48页 |
| ·电源抑制简介 | 第40-42页 |
| ·中频电源抑制提高结构 | 第42-45页 |
| ·中频电源抑制提高电路与其它结构的结合 | 第45-48页 |
| ·低功耗设计 | 第48-53页 |
| ·亚阈值技术简介 | 第48-49页 |
| ·亚阈值技术在低功耗基准电压源中的应用 | 第49-51页 |
| ·能工作于0.5V 供电电压的低功耗基准电压源 | 第51-53页 |
| ·工艺误差修正 | 第53-58页 |
| ·设计中工艺补偿 | 第54-55页 |
| ·流片后工艺修正 | 第55-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第四章 基准电压源中放大器的设计 | 第59-80页 |
| ·放大器对基准电压源性能的影响 | 第59-63页 |
| ·放大器失调对基准电压源的影响 | 第59-60页 |
| ·放大器增益对基准电压源的影响 | 第60-61页 |
| ·放大器其它性能指标对基准电压源的影响 | 第61-63页 |
| ·几种典型放大器及其优缺点 | 第63-67页 |
| ·低供电电压下的放大器设计及Rail-to-Rail 恒定增益放大技术 | 第67-78页 |
| ·低供电电压放大器及恒定增益放大技术简介 | 第67-68页 |
| ·衬底输入原理及恒定跨导技术 | 第68-72页 |
| ·基于动态偏置的Rail-to-Rail 恒定增益放大器设计 | 第72-78页 |
| ·本章小结 | 第78-80页 |
| 第五章 结束语 | 第80-82页 |
| ·工作总结 | 第80-81页 |
| ·工作展望 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-88页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第88页 |