| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 1 引言 | 第10-20页 |
| ·等离子体浸没离子注入技术及其发展应用 | 第10-14页 |
| ·等离子体浸没离子注入技术 | 第10-12页 |
| ·等离子体浸没离子注入技术的发展及应用 | 第12-14页 |
| ·PⅢ技术在平板介质靶和管状材料内表面的研究现状 | 第14-16页 |
| ·平板介质靶的PⅢ研究现状 | 第14-15页 |
| ·管状材料内表面的PⅢ研究现状 | 第15-16页 |
| ·PⅢ鞘层演化的研究方法 | 第16-19页 |
| ·本文研究内容 | 第19-20页 |
| 2 等离子体模拟的PIC/MCC模型介绍 | 第20-31页 |
| ·粒子模拟方法概述 | 第20-21页 |
| ·PIC方法 | 第21-26页 |
| ·模拟初始化 | 第21-22页 |
| ·电荷密度和场的权重分配方法 | 第22-24页 |
| ·泊松方程 | 第24-25页 |
| ·粒子推动 | 第25-26页 |
| ·PIC模型的稳定性条件 | 第26页 |
| ·MCC模型 | 第26-30页 |
| ·伪碰撞法 | 第26-27页 |
| ·碰撞后粒子速度的确定 | 第27-30页 |
| ·本章小结 | 第30-31页 |
| 3 介质圆管内表面等离子体浸没离子注入的二维混合PIC模拟 | 第31-49页 |
| ·引言 | 第31页 |
| ·理论模型的建立 | 第31-34页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第34-48页 |
| ·鞘层演化及离子注入特性 | 第34-38页 |
| ·注入剂量和注入能量均匀性 | 第38-41页 |
| ·介质厚度对PⅢ注入过程的影响 | 第41-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 4 介质材料表面等离子体浸没离子注入的一维PIC/MCC模拟 | 第49-64页 |
| ·引言 | 第49页 |
| ·理论模型的建立 | 第49-51页 |
| ·模拟结果及讨论 | 第51-63页 |
| ·等离子体浸没离子注入特性 | 第52-55页 |
| ·介质厚度对PⅢ注入过程的影响 | 第55-58页 |
| ·气压对PⅢ过程的影响 | 第58-60页 |
| ·注入到介质靶表面的离子能量分布 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |