| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1. 我国光伏发电状况 | 第9-18页 |
| ·多晶硅薄膜材料的应用 | 第10-12页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管 | 第10页 |
| ·薄膜晶体管的制备工艺 | 第10-12页 |
| ·薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD) | 第12-13页 |
| ·薄膜晶体管液晶显示屏的主要特点 | 第12页 |
| ·薄膜晶体管液晶显示屏(TFT-LCD)的工作原理 | 第12-13页 |
| ·多晶硅薄膜太阳能电池 | 第13-17页 |
| ·太阳能电池工作原理 | 第14页 |
| ·非晶硅薄膜太阳能电池 | 第14-16页 |
| ·多晶硅薄膜太阳能电池 | 第16-17页 |
| ·本论文工作的内容和意义 | 第17-18页 |
| 第二章 实验设备简介与薄膜表征方法 | 第18-25页 |
| 2. 实验设备介绍和薄膜表征方法 | 第18-25页 |
| ·ICP辅助磁控溅射系统简易图 | 第18-19页 |
| ·薄膜表征方法 | 第19-25页 |
| ·红外光谱 | 第19-22页 |
| ·拉曼光谱 | 第22-23页 |
| ·X射线衍射 | 第23-25页 |
| 第三章 等离子体辅助源和氢气在多晶硅薄膜制备中的影响 | 第25-34页 |
| ·ICP源在多晶硅薄膜制备中的影响 | 第25-28页 |
| ·氢气对多晶硅制备的影响 | 第28-33页 |
| ·氢气含量对薄膜的影响 | 第29页 |
| ·薄膜的拉曼光谱和晶化率 | 第29-31页 |
| ·薄膜中硅氢键键合状态 | 第31-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 偏压对多晶硅薄膜制备的影响 | 第34-45页 |
| 4. 偏压对沉积薄膜的影响 | 第34-45页 |
| ·偏压对氢气稀释比为10%的薄膜结构的影响 | 第36-39页 |
| ·偏压对薄膜微观结构的影响 | 第36-38页 |
| ·偏压对薄膜中键合氢的影响 | 第38-39页 |
| ·离子轰击对氢气稀释比为30%的薄膜结构的影响 | 第39-44页 |
| ·离子轰击对薄膜微观结构的影响 | 第40-41页 |
| ·离子轰击对薄膜中键合氢的影响 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 退火对制备多晶硅薄膜的影响 | 第45-52页 |
| 5. 薄膜的再结晶 | 第45-52页 |
| ·常规热炉退火 | 第45-46页 |
| ·实验 | 第46-49页 |
| ·不同氢含量退火前后的拉曼光谱 | 第46-48页 |
| ·退火时间对薄膜的影响 | 第48-49页 |
| ·快速退火对薄膜的影响 | 第49-50页 |
| ·快速退火后薄膜氢的键合结构 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 结论 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |