| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·红外HgCdTe材料介绍 | 第9-11页 |
| ·H在半导体中的行为 | 第11-13页 |
| ·H在HgCdTe材料中的行为 | 第13页 |
| ·本论文的目的和内容 | 第13-15页 |
| 第2章 研究方法和理论背景 | 第15-23页 |
| ·密度泛函理论 | 第15-17页 |
| ·交换关联泛函 | 第17-18页 |
| ·赝势方法 | 第18-19页 |
| ·计算细节与分析模型 | 第19-23页 |
| ·态密度 | 第20页 |
| ·电荷密度、差分电荷密度和电离电荷密度 | 第20-21页 |
| ·缺陷形成能与动力学能级 | 第21页 |
| ·复合杂质的束缚能 | 第21页 |
| ·电子局域函数 | 第21-23页 |
| 第3章 氢间隙杂质在HgCdTe材料中的行为 | 第23-36页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·H间隙杂质在CdTe中的行为 | 第24-30页 |
| ·H间隙杂质对CdTe电子结构的影响 | 第24-26页 |
| ·H间隙杂质在CdTe中的形成能及其电学性质 | 第26-27页 |
| ·H间隙杂质在CdTe中的成键机制 | 第27-30页 |
| ·H间隙杂质在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的行为 | 第30-35页 |
| ·H间隙杂质对Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te电子结构的影响 | 第30-32页 |
| ·H间隙杂质在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的形成能及其电学性质 | 第32-34页 |
| ·H间隙杂质在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的成键机制 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 H对HgCdTe材料阳离子空位的钝化效应 | 第36-47页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·H钝化Cd空位对CdTe电子结构和电学性质的影响 | 第36-42页 |
| ·弛豫结果分析 | 第37-38页 |
| ·缺陷形成能和束缚能 | 第38-42页 |
| ·H钝化Hg空位对Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te电子结构和电学性质的影响 | 第42-46页 |
| ·弛豫结果分析 | 第42-43页 |
| ·缺陷形成能和束缚能 | 第43-46页 |
| ·本章小结 | 第46-47页 |
| 第5章 多H与阳离子空位复合杂质在HgCdTe材料中的行为 | 第47-52页 |
| ·引言 | 第47页 |
| ·多H与Cd空位复合杂质对CdTe结构和电学性质的影响 | 第47-49页 |
| ·弛豫结果分析 | 第47-48页 |
| ·复合杂质nH-V在CdTe中的形成能和束缚能 | 第48-49页 |
| ·多H与Hg空位复合杂质对Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te结构和电学性质的影响 | 第49-50页 |
| ·弛豫结果分析 | 第49-50页 |
| ·复合杂质nH-V在Hg_(0.75)Cd_(0.25)Te中的形成能和束缚能 | 第50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 总结与展望 | 第52-54页 |
| 1 论文总结 | 第52页 |
| 2 研究展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第60页 |
