| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 引言 | 第9-17页 |
| ·红外材料发展简述 | 第9-10页 |
| ·红外材料的重要性 | 第10-11页 |
| ·红外光电子材料碲镉汞概述 | 第11-12页 |
| ·碲镉汞材料的特点 | 第12-14页 |
| ·碲镉汞材料的结构及电子特征 | 第14页 |
| ·碲镉汞红外探测器的空间应用 | 第14-15页 |
| ·MCT 红外擦测器在资源勘探和气象预报中的应用 | 第14-15页 |
| ·MCT 红外器件在天文观察中的应用及其进展 | 第15页 |
| ·本文的目的和研究内容 | 第15-17页 |
| 第2章 理论与计算方法 | 第17-24页 |
| ·密度泛函理论概述 | 第17-19页 |
| ·交换关联泛函 | 第19-21页 |
| ·局域密度近似（LDA） | 第20-21页 |
| ·赝势方法 | 第21-22页 |
| ·本文所用软件和分析方法 | 第22-24页 |
| 第3章 AU 在HG_(1-X)CD_XTE 材料中的杂质行为 | 第24-38页 |
| ·引言 | 第24-26页 |
| ·AU 杂质引起的原子弛豫 | 第26-29页 |
| ·AU 代HG 位对HGCDTE 材料电子结构的影响 | 第29-32页 |
| ·Au 代Hg 位电荷密度与电子局域函数 | 第29-31页 |
| ·Au 代Hg 位态密度 | 第31-32页 |
| ·形成能与动力学能级 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 HG_(0.75)CD_(0.25)TE 材料中的P 型掺杂的AX 中心问题 | 第38-52页 |
| ·引言 | 第38-39页 |
| ·Ⅴ族元素N、P、SB 杂质所引起的原子弛豫 | 第39页 |
| ·N、P、SB 对HGCDTE 材料电子结构的影响 | 第39-43页 |
| ·电荷密度与电子局域函数 | 第39-42页 |
| ·态密度 | 第42-43页 |
| ·形成能和动力学能级 | 第43-46页 |
| ·形成能与动力学能级 | 第46-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第5章 总结与展望 | 第52-54页 |
| ·论文总结 | 第52-53页 |
| ·研究展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士期间发表和完成的论文 | 第61页 |
