| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| §1.1 量子点的概述 | 第8-13页 |
| ·量子点的概念 | 第8-9页 |
| ·量子点的性质 | 第9-10页 |
| ·量子点的制备方法 | 第10-11页 |
| ·量子点的应用 | 第11-13页 |
| ·量子点中电子结构的计算方法 | 第13页 |
| §1.2 氮化物半导体的重要性质 | 第13-14页 |
| ·氮化物半导体材料的晶体结构 | 第13-14页 |
| ·GaN/Al_xGa_(1-x)N材料的性质 | 第14页 |
| §1.3 本论文的主要工作 | 第14-16页 |
| 第二章 理论模型 | 第16-21页 |
| §2.1 引言 | 第16页 |
| §2.2 理论模型 | 第16-21页 |
| ·无外电场情形下用平面波展开法求解GaN/AlxGa1-xN球形量子点中的单电子杂质态 | 第17-19页 |
| ·外电场情形下用平面波展开法求解GaN/AlxGa1-xN球形量子点中的单电子杂质态 | 第19页 |
| ·磁场场情形下用平面波展开法求解GaN/AlxGa1-xN球形量子点中的单电子杂质态 | 第19页 |
| ·电磁场共同作用下用平面波展开法求解GaN/AlxGa1-xN球形量子点中的单电子杂质态 | 第19-21页 |
| 第三章 GaN/Al_xGa_(1-x)N球形量子点中的类氢施主杂质态的计算 | 第21-26页 |
| §3.1 引言 | 第21页 |
| §3.2 模型与计算结果分析 | 第21-25页 |
| §3.3 结论 | 第25-26页 |
| 第四章 外场对GaN/Al_xGa_(1-x)N球形量子点中的类氢施主杂质态的影响 | 第26-32页 |
| §4.1 引言 | 第26页 |
| §4.2 电场对GaN/Al_xGa_(1-x)N球形量子点中类氢施主杂质态的影响 | 第26-29页 |
| §4.3 磁场对GaN/Al_xGa_(1-x)N球形量子点中类氢施主杂质态的影响 | 第29-30页 |
| §4.4 电场和磁场共同作用对GaN/Al_xGa_(1-x)N量子点中类氢施主杂质态的影响 | 第30-31页 |
| §4.5 结论 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-35页 |
| 在校期间的研究成果及发表的学术论文 | 第35-36页 |
| 致谢 | 第36页 |
