| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 引言 | 第9-20页 |
| 1.1 背景介绍 | 第9页 |
| 1.2 有机-无机杂化半导体材料 | 第9-13页 |
| 1.3 有机-无机杂化发光半导体材料 | 第13-15页 |
| 1.3.1 辐射跃迁和非辐射跃迁 | 第13-14页 |
| 1.3.2 有机-无机杂化发光材料 | 第14-15页 |
| 1.4 有机-无机杂化发光半导体材料的国内外研究进展 | 第15-18页 |
| 1.5 选题思路及主要研究内容 | 第18-20页 |
| 第二章 有机-无机杂化材料[C_5H_9NH_3]_4CdBr_6的发光和半导体性能的研究 | 第20-34页 |
| 2.1 背景介绍 | 第20-21页 |
| 2.2 实验部分 | 第21-22页 |
| 2.2.1 实验所需主要试剂 | 第21页 |
| 2.2.2 实验所需主要仪器 | 第21页 |
| 2.2.3 晶体结构测定、解析和精修方法 | 第21-22页 |
| 2.2.4 理论计算方法 | 第22页 |
| 2.2.5 化合物[C_5H_9NH_3]_4CdBr_6的粉末和晶体的制备 | 第22页 |
| 2.2.5.1 化合物[C_5H_9NH_3]_4CdBr_6的粉末的制备 | 第22页 |
| 2.2.5.2 化合物[C_5H_9NH_3]_4CdBr_6晶体的制备 | 第22页 |
| 2.3 晶体结构分析 | 第22-24页 |
| 2.4 性能测试与分析 | 第24-32页 |
| 2.4.1 X-射线粉末衍射 | 第24-25页 |
| 2.4.2 热重分析 | 第25页 |
| 2.4.3 荧光性能表征与分析 | 第25-30页 |
| 2.4.3.1 荧光性能表征 | 第25-27页 |
| 2.4.3.2 荧光的环境稳定性和光稳定性 | 第27-28页 |
| 2.4.3.3 荧光机理分析 | 第28-30页 |
| 2.4.4 半导体性能表征和分析 | 第30-32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 二维层状钙钛矿[C_6H_(12)N_2H_6]PbBr_4的发光与半导体性能的研究 | 第34-41页 |
| 3.1 背景介绍 | 第34-35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 3.2.1 实验所需主要试剂 | 第35页 |
| 3.2.2 实验所需主要仪器 | 第35页 |
| 3.2.3 晶体结构测定、解析和精修方法 | 第35页 |
| 3.2.4 化合物[C_6H_(12)N_2H_6]PbBr_4的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.4.1 化合物[C_6H_(12)N_2H_6]PbBr_4粉末的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.4.2 化合物[C_6H_(12)N_2H_6]PbBr_4晶体的制备 | 第36页 |
| 3.3 晶体结构分析 | 第36-38页 |
| 3.4 性能测试与分析 | 第38-40页 |
| 3.4.1 X-射线粉末衍射 | 第38页 |
| 3.4.2 热重分析 | 第38-39页 |
| 3.4.3 荧光性能测试与分析 | 第39页 |
| 3.4.4 半导体性能表征和分析 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 (C_8H_(18)NH_2)_2SbCl_5的发光和相变性能的研究 | 第41-55页 |
| 4.1 背景介绍 | 第41-43页 |
| 4.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 4.2.1 实验所需主要试剂 | 第43页 |
| 4.2.2 实验所需主要仪器 | 第43页 |
| 4.2.3 晶体结构测定、解析和精修方法 | 第43-44页 |
| 4.2.4 化合物(C_8H_(18)NH_2)_2SbCl_5的制备 | 第44页 |
| 4.2.4.1 化合物(C_8H_(18)NH_2)_2SbCl_5的粉末的制备 | 第44页 |
| 4.2.4.2 化合物(C_8H_(18)NH_2)_2SbCl_5的晶体的制备 | 第44页 |
| 4.2.4.3 发光LED灯的制备 | 第44页 |
| 4.3 晶体结构分析 | 第44-45页 |
| 4.4 性能测试与分析 | 第45-53页 |
| 4.4.1 X-射线粉末衍射 | 第45-46页 |
| 4.4.2 热重分析 | 第46页 |
| 4.4.3 差示扫描量热(DSC)测试与分析 | 第46-47页 |
| 4.4.4 比热容(Cp)测试与分析 | 第47-48页 |
| 4.4.5 介电性质表征与分析 | 第48-49页 |
| 4.4.6 变温X-射线粉末衍射 | 第49-50页 |
| 4.4.7 相变机理分析 | 第50-51页 |
| 4.4.8 荧光性能表征与分析 | 第51-52页 |
| 4.4.9 荧光的热稳定性 | 第52-53页 |
| 4.4.10 半导体性能表征和分析 | 第53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 结论 | 第55-57页 |
| 1. 主要结论 | 第55-56页 |
| 2. 对未来工作的展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-76页 |
| 个人简介及硕士期间所发表学术论文 | 第76页 |
