| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 光催化技术概述 | 第12-17页 |
| 1.1.1 光催化技术的发展背景 | 第12-13页 |
| 1.1.2 光催化技术的作用原理 | 第13-15页 |
| 1.1.3 光催化技术的应用 | 第15-17页 |
| 1.2 光催化活性的主要影响因素 | 第17-20页 |
| 1.2.1 晶体结构 | 第17-18页 |
| 1.2.2 微观结构 | 第18-19页 |
| 1.2.3 电子结构 | 第19页 |
| 1.2.4 反应条件 | 第19-20页 |
| 1.3 光催化效率的提高途径 | 第20-23页 |
| 1.3.1 元素掺杂 | 第20-22页 |
| 1.3.2 半导体复合 | 第22页 |
| 1.3.3 贵金属沉积 | 第22-23页 |
| 1.3.4 染料光敏化 | 第23页 |
| 1.4 硫化物半导体材料 | 第23-28页 |
| 1.4.1 硫化物半导体材料概述 | 第23-25页 |
| 1.4.2 金属硫化物的制备技术 | 第25-27页 |
| 1.4.3 硫化钴材料在催化领域的应用 | 第27-28页 |
| 1.5 本文的选题依据与主要研究内容 | 第28-30页 |
| 1.5.1 选题依据 | 第28页 |
| 1.5.2 研究目的 | 第28-29页 |
| 1.5.3 研究内容 | 第29页 |
| 1.5.4 技术路线 | 第29-30页 |
| 第2章 Co_(2.67)S_4纳米材料的制备与表征 | 第30-38页 |
| 2.1 前言 | 第30页 |
| 2.2 实验材料与仪器 | 第30-31页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第30-31页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第31页 |
| 2.3 Co_(2.67)S_4纳米材料的制备 | 第31-32页 |
| 2.4 表征手段概述 | 第32页 |
| 2.5 光催化条件设置 | 第32-33页 |
| 2.6 催化剂晶相结构表征 | 第33页 |
| 2.7 电子显微镜表征 | 第33-35页 |
| 2.8 X射线光电子能谱分析 | 第35页 |
| 2.9 紫外-可见-近红外漫反射光谱分析 | 第35-36页 |
| 2.10 三维晶体结构模型绘制 | 第36-37页 |
| 2.11 本章小结 | 第37-38页 |
| 第3章 Co_(2.67)S_4纳米粒的光催化降解实验 | 第38-46页 |
| 3.1 前言 | 第38页 |
| 3.2 紫外-可见-近红外光催化实验 | 第38-39页 |
| 3.3 动力学研究 | 第39-40页 |
| 3.4 三维荧光光谱变化情况 | 第40-41页 |
| 3.5 边带位置计算 | 第41-42页 |
| 3.6 自由基抑制实验 | 第42-43页 |
| 3.7 光催化机理 | 第43-44页 |
| 3.8 催化剂的稳定性评价 | 第44-45页 |
| 3.9 本章小结 | 第45-46页 |
| 第4章 结论与展望 | 第46-48页 |
| 4.1 结论 | 第46-47页 |
| 4.2 创新点 | 第47页 |
| 4.3 展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-65页 |
| 附录A 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第65-66页 |
| 附录B 攻读学位期间所申请和授权的发明专利 | 第66-67页 |
| 附录C 攻读硕士学位期间参与的科研项目 | 第67-68页 |
| 附录D 攻读学位期间获得奖励 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |