| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-43页 |
| 1.1 电力电子技术 | 第12-17页 |
| 1.1.1 电力电子技术的定义及构成 | 第12-13页 |
| 1.1.2 电力电子技术的发展与趋势 | 第13-16页 |
| 1.1.3 电力电子技术的应用 | 第16-17页 |
| 1.2 功率半导体器件概述 | 第17-26页 |
| 1.2.1 功率 MOSFET | 第17-21页 |
| 1.2.2 绝缘栅双极型晶体管 | 第21-24页 |
| 1.2.3 智能功率模块 | 第24-26页 |
| 1.3 智能功率集成电路概述 | 第26-27页 |
| 1.4 智能功率集成电路工艺简介 | 第27-35页 |
| 1.4.1 BCD 工艺简介 | 第27-31页 |
| 1.4.2 VIPower 工艺简介 | 第31-34页 |
| 1.4.3 本研究采用的基于 OPT-VLD 的自隔离技术 | 第34-35页 |
| 1.5 功率半导体市场及中国的机遇与挑战 | 第35-41页 |
| 1.5.1 全球功率半导体市场概述 | 第36-40页 |
| 1.5.2 中国的机遇与挑战 | 第40-41页 |
| 1.6 本文的主要研究工作 | 第41-43页 |
| 第二章 半桥功率驱动集成电路 | 第43-62页 |
| 2.1 传统半桥电路的构成 | 第43-44页 |
| 2.2 半桥功率驱动集成电路 | 第44-45页 |
| 2.3 半桥功率驱动集成电路中的 OPT-LDMOS 器件 | 第45-48页 |
| 2.4 半桥功率驱动集成电路中的高低侧功率器件 | 第48-51页 |
| 2.5 高压电平位移电路的改进 | 第51-61页 |
| 2.5.1 电路的工作原理 | 第51-53页 |
| 2.5.2 新型电平位移电路 | 第53-60页 |
| 2.5.3 新型电平位移电路的仿真验证 | 第60-61页 |
| 2.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第三章 半桥功率集成电路中高压器件的隔离研究 | 第62-79页 |
| 3.1 功率集成电路中的隔离技术概述 | 第62-66页 |
| 3.1.1 介质隔离技术 | 第62-63页 |
| 3.1.2 PN 结隔离技术 | 第63-64页 |
| 3.1.3 自隔离技术 | 第64-66页 |
| 3.1.4 混合隔离技术 | 第66页 |
| 3.2 传统半桥功率 IC 中高压器件的制作方法及问题 | 第66-69页 |
| 3.2.1 传统半桥功率 IC 中高压器件的集成方法 | 第66-67页 |
| 3.2.2 传统半桥功率 IC 方法中高压互连问题 | 第67-69页 |
| 3.3 半桥功率 IC 中的高压器件的隔离与全集成研究 | 第69-78页 |
| 3.3.1 高压器件与功率器件的隔离结构 | 第70-72页 |
| 3.3.2 隔离区的设计与仿真分析 | 第72-76页 |
| 3.3.3 新结构芯片面积的减少计算 | 第76-77页 |
| 3.3.4 新结构中的高压互连 | 第77-78页 |
| 3.4 本章小结 | 第78-79页 |
| 第四章 新型半桥功率集成电路的研究 | 第79-113页 |
| 4.1 传统半桥功率集成电路的弊端 | 第79-80页 |
| 4.2 低侧集成高压 PMOS 感应脉冲信号控制低侧器件 | 第80-92页 |
| 4.2.1 片内高压 PMOS 感应脉冲信号的结构与原理 | 第80-84页 |
| 4.2.2 感应双脉冲信号以控制低侧器件的开与关 | 第84-87页 |
| 4.2.3 双脉冲信号的分析、仿真与处理 | 第87-90页 |
| 4.2.4 低侧器件仿真与分析 | 第90-92页 |
| 4.3 集成高压 PMOS 与电阻分压产生信号控制低侧 n-LDMOS | 第92-99页 |
| 4.3.1 高压 PMOS 与电阻产生信号的结构与原理 | 第93-94页 |
| 4.3.2 脉冲信号产生的仿真、分析与处理 | 第94-97页 |
| 4.3.3 低侧器件的仿真分析 | 第97-99页 |
| 4.4 主要低压电路的设计 | 第99-111页 |
| 4.4.1 脉冲信号产生电路的设计 | 第99-102页 |
| 4.4.2 死区时间控制电路的设计 | 第102-106页 |
| 4.4.3 新型欠压检测及保护电路的设计 | 第106-111页 |
| 4.5 本章小结 | 第111-113页 |
| 第五章 半桥功率集成电路中的正、负低压电源 | 第113-127页 |
| 5.1 半桥功率集成电路中的正电源 | 第113-124页 |
| 5.1.1 功率器件内部产生正电源 | 第113-115页 |
| 5.1.2 正电源的处理-稳压器电路 | 第115-124页 |
| 5.2 高压电路中负电源的获得方法 | 第124-126页 |
| 5.2.1 高压器件内部产生负电源 | 第124页 |
| 5.2.2 正电源转换成负电源 | 第124-126页 |
| 5.3 本章小结 | 第126-127页 |
| 第六章 两种多数载流子同时导电的功率器件研究 | 第127-145页 |
| 6.1 横向功率器件的电流―剧增‖效应 | 第127-129页 |
| 6.2 两多子器件概述 | 第129-130页 |
| 6.3 三端 np-LDMOS 器件的实现 | 第130-140页 |
| 6.3.1 采用高压 PMOS 控制 n-LDMOS | 第131-134页 |
| 6.3.2 采用 n-LDMOS 控制高压 PMOS | 第134-140页 |
| 6.4 功率 np-LDMOS 器件的仿真、分析 | 第140-144页 |
| 6.5 本章小结 | 第144-145页 |
| 第七章 总结和展望 | 第145-147页 |
| 致谢 | 第147-148页 |
| 参考文献 | 第148-160页 |
| 攻读博士学位期间取得的研究成果 | 第160-161页 |
