| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3-4页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 薄膜晶体管在显示中的应用 | 第9-11页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管在LCD中的应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管在OLED中的应用 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容和章节安排 | 第11-12页 |
| 第二章 薄膜晶体管的工作原理及制备方法 | 第12-22页 |
| 2.1 TFT的基本结构分类 | 第12页 |
| 2.2 TFT的工作原理及重要参数 | 第12-15页 |
| 2.2.1 TFT的工作原理 | 第12-14页 |
| 2.2.2 TFT的主要性能参数 | 第14-15页 |
| 2.3 TFT的制备方法 | 第15-18页 |
| 2.4 薄膜的表征方法 | 第18-21页 |
| 2.5 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 低温制备Cu_2O薄膜及其在薄膜晶体管中的应用 | 第22-36页 |
| 3.1 p沟道金属氧化物薄膜晶体管的研究意义及研究现状 | 第22-27页 |
| 3.1.1 p沟道金属氧化物薄膜晶体管的研究意义 | 第22-23页 |
| 3.1.2 p沟道金属氧化物薄膜晶体管的研究现状 | 第23-27页 |
| 3.2 一步合成法低温制备Cu_2O薄膜及其TFT器件 | 第27-29页 |
| 3.3 Cu_xO薄膜的结构及表面分析 | 第29-33页 |
| 3.3.1 Cu_xO薄膜的XRD分析 | 第29-30页 |
| 3.3.2 Cu_xO薄膜的透过率分析 | 第30-31页 |
| 3.3.3 Cu_xO薄膜的表面形貌分析 | 第31-32页 |
| 3.3.4 Cu_xO薄膜的XPS分析 | 第32-33页 |
| 3.4 溶液法制备的Cu_xO/SiO_2TFT器件的电学性质测试 | 第33-35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 三元p型CuCrO_2薄膜的溶液法制备及其在薄膜晶体管中的应用 | 第36-50页 |
| 4.1 三元p型CuCrO_2薄膜简介 | 第36页 |
| 4.2 CuCrO_2薄膜及其TFT器件的溶液法制备 | 第36-38页 |
| 4.3 CuCr_xO_y薄膜结构及性能分析 | 第38-44页 |
| 4.3.1 CuCr_xO_y薄膜的XRD分析 | 第38-39页 |
| 4.3.2 CuCr_xO_y薄膜的XPS分析 | 第39-42页 |
| 4.3.3 CuCr_xO_y薄膜的表面形貌分析 | 第42页 |
| 4.3.4 CuCr_xO_y薄膜的透过率分析 | 第42-43页 |
| 4.3.5 CuCr_xO_y薄膜的电学性质分析 | 第43-44页 |
| 4.4 溶液法制备的CuCr_xO_y/SiO_2TFT器件的电学性质测试 | 第44-49页 |
| 4.4.1 CuCr_xO_y/SiO_2TFT器件转移特性测试 | 第44-46页 |
| 4.4.2 CuCrO_2/SiO_2TFT器件输出特性测试 | 第46-47页 |
| 4.4.3 CuCr_xO_y/SiO_2TFT器件漏电性能测试 | 第47-48页 |
| 4.4.4 CuCrO_2/SiO_2TFT器件偏压稳定性测试 | 第48-49页 |
| 4.5 本章小结 | 第49-50页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
