| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3-4页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 薄膜晶体管的应用 | 第9-12页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管在LCD中的应用 | 第9-10页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管在OLED中的应用 | 第10-11页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管在传感器中的应用 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容和章节安排 | 第12-13页 |
| 第二章 薄膜晶体管的制备和研究 | 第13-24页 |
| 2.1 TFT的结构和工作原理 | 第13-16页 |
| 2.1.1 TFT基本结构 | 第13页 |
| 2.1.2 TFT的工作原理 | 第13-16页 |
| 2.2 TFT的主要性能参数 | 第16-17页 |
| 2.3 TFT的制备方法 | 第17-20页 |
| 2.3.1 溅射法 | 第17-18页 |
| 2.3.2 脉冲激光沉积 | 第18页 |
| 2.3.3 热蒸发 | 第18-19页 |
| 2.3.4 溶胶凝胶法 | 第19-20页 |
| 2.3.5 TFT制备原材料 | 第20页 |
| 2.4 薄膜的测试与表征 | 第20-24页 |
| 2.4.1 紫外-可见吸收光谱(UV-Vis) | 第21页 |
| 2.4.2 X射线衍射(XRD) | 第21-22页 |
| 2.4.3 原子力显微镜(AFM) | 第22页 |
| 2.4.4 X射线光电子能谱(XPS) | 第22-24页 |
| 第三章 基于高κ氧化锶介电层的氧化铟薄膜晶体管 | 第24-38页 |
| 3.1 高介电常数材料 | 第24-32页 |
| 3.1.1 传统SiO_2材料存在问题 | 第24页 |
| 3.1.2 高介电常数材料概述 | 第24-25页 |
| 3.1.3 SrO材料介绍 | 第25页 |
| 3.1.4 SrO_x薄膜的制备 | 第25-27页 |
| 3.1.5 薄膜的性能测试及分析 | 第27-32页 |
| 3.2 氧化铟/氧化锶(In_2O_3/SrO_x)薄膜晶体管的制备、表征和应用 | 第32-36页 |
| 3.2.1 In_2O_3材料概述 | 第32页 |
| 3.2.2 In_2O_3薄膜及In_2O_3/SrO_xTFT的制备 | 第32-33页 |
| 3.2.3 In_2O_3/SrO_xTFT电学性能表征 | 第33-35页 |
| 3.2.4 In_2O_3/SrO_xTFT的应用-反相器 | 第35-36页 |
| 3.3 本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 基于Al_2O_3钝化层的In_2O_3/ZrO_2薄膜晶体管制备与研究 | 第38-44页 |
| 4.1 金属氧化物TFT存在问题 | 第38页 |
| 4.2 基于Al_2O_3钝化层的In_2O_3/ZrO_2TFT的制备与表征 | 第38-43页 |
| 4.2.1 基于Al_2O_3钝化层的In_2O_3/ZrO_2TFT的制备 | 第38-39页 |
| 4.2.2 基于Al_2O_3钝化层的In_2O_3/ZrO_2TFT的表征 | 第39-43页 |
| 4.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 工作总结与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 攻读学位期间的研究成果与项目 | 第50-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
