| 摘要 | 第2-3页 |
| abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-14页 |
| 1.1 半导体纳米材料的基本特性 | 第7-9页 |
| 1.1.1 表面效应 | 第7-8页 |
| 1.1.2 小尺寸效应 | 第8页 |
| 1.1.3 量子尺寸效应 | 第8-9页 |
| 1.1.4 宏观量子隧道效应 | 第9页 |
| 1.2 半导体纳米材料物理特质 | 第9-12页 |
| 1.2.1 电学性质 | 第9-10页 |
| 1.2.2 光学性质 | 第10页 |
| 1.2.3 发光性质 | 第10-12页 |
| 1.3 半导体纳米材料的应用 | 第12-13页 |
| 1.3.1 催化领域 | 第12页 |
| 1.3.2 传感器领域 | 第12页 |
| 1.3.3 太阳能电池领域 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文研究的主要内容和意义 | 第13-14页 |
| 第二章 半导体纳米晶的制备和表征 | 第14-20页 |
| 2.1 离子注入法 | 第14-16页 |
| 2.2 半导体纳米晶的表征 | 第16-20页 |
| 2.2.1 选区电子衍射 | 第16-17页 |
| 2.2.2 电子能量损失谱 | 第17-18页 |
| 2.2.3 高分辨电子显微学 | 第18-20页 |
| 第三章 纳米孔洞对锗纳米晶微观结构及向外扩散的影响 | 第20-32页 |
| 3.1 研究背景 | 第20-21页 |
| 3.2 实验方法 | 第21页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第21-31页 |
| 3.3.1 锗纳米晶的形成 | 第21-25页 |
| 3.3.2 锗纳米晶的微观结构及纳米孔洞的形成 | 第25-28页 |
| 3.3.3 锗纳米晶的不均匀分布 | 第28-31页 |
| 3.4 小结 | 第31-32页 |
| 第四章 铒离子、硅离子与锗离子共注入对锗纳米晶的微观结构及向外扩散的影响 | 第32-42页 |
| 4.1 研究背景 | 第32-33页 |
| 4.2 实验方法 | 第33页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第33-41页 |
| 4.3.1 纳米晶在二氧化硅基质中的分布 | 第33-35页 |
| 4.3.2 铒离子、硅离子与锗离子共注入对于锗纳米晶及纳米孔洞的影响 | 第35-37页 |
| 4.3.3 铒离子、硅离子与锗离子共注入对于锗纳米晶微观结构的影响 | 第37-41页 |
| 4.4 小结 | 第41-42页 |
| 第五章 总结与展望 | 第42-44页 |
| 一、本论文主要的研究成果与结论 | 第42页 |
| 二、后续工作建议及展望 | 第42-44页 |
| 参考文献 | 第44-51页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
