| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-12页 |
| 1.1 高精密电压基准的需求和发展趋势 | 第10页 |
| 1.2 本文主要工作 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的结构安排 | 第11-12页 |
| 第二章 高精密电压基准主流技术和发展趋势 | 第12-23页 |
| 2.1 电压基准的主要结构 | 第12-13页 |
| 2.2 电压基准的主要参数介绍 | 第13-15页 |
| 2.3 电压基准的实现方式 | 第15-21页 |
| 2.3.1 齐纳基准 | 第15-17页 |
| 2.3.2 带隙基准 | 第17-20页 |
| 2.3.3 其它类型基准 | 第20-21页 |
| 2.4 各类电压基准优缺点对比 | 第21-22页 |
| 2.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 正负基准结构实现 | 第23-29页 |
| 3.1 模拟集成电路工艺选择 | 第23页 |
| 3.2 电压基准实现结构确认 | 第23-25页 |
| 3.3 内部基准实现方式确认 | 第25-27页 |
| 3.3.1 齐纳基准实现方案 | 第25-27页 |
| 3.3.2 带隙基准实现方案 | 第27页 |
| 3.4 线路结构确认 | 第27-28页 |
| 3.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 基于双极型工艺的带隙基准核心功能单元实现 | 第29-44页 |
| 4.1 标准双极型模拟集成电路工艺简介 | 第29-31页 |
| 4.1.1 标准双极型模拟集成工艺主要特点 | 第29-30页 |
| 4.1.2 基于标准双极工艺电路设计注意事项 | 第30-31页 |
| 4.2 集成电压基准中双极型电流源的实现 | 第31-36页 |
| 4.2.1 双极型PTAT电流源 | 第32页 |
| 4.2.2 自偏置双极型PTAT电流源 | 第32-33页 |
| 4.2.3 双极型CTAT电流源 | 第33-34页 |
| 4.2.4 自偏置双极型CTAT电流源 | 第34-35页 |
| 4.2.5 PTAT2电流源 | 第35-36页 |
| 4.3 电压源的实现 | 第36-43页 |
| 4.3.1 带隙基准的二阶曲率补偿技术 | 第36-38页 |
| 4.3.2 几种二阶曲率补偿线路的主要实现方式 | 第38-43页 |
| 4.3.2.1 利用不同电阻温度系数差异的曲率补偿 | 第38-39页 |
| 4.3.2.2 二极管补偿 | 第39-40页 |
| 4.3.2.3 增益补偿(Β COMPENSATION) | 第40-41页 |
| 4.3.2.4 非线性匹配补偿 | 第41-42页 |
| 4.3.2.5 带隙基准曲率补偿结构对比 | 第42-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第五章 正负基准电路工程化实现 | 第44-64页 |
| 5.1 总体设计方案确认 | 第44页 |
| 5.2 内部核心基准单元的实现 | 第44-53页 |
| 5.2.1 内部+10V电压基准总体结构实现 | 第44-46页 |
| 5.2.2 内部+10V电压基准的线路实现 | 第46-52页 |
| 5.2.2.1 +10V电压基准的总体线路实现 | 第46-47页 |
| 5.2.2.2 内部核心带隙基准核的实现 | 第47-51页 |
| 5.2.2.3 内部其它功能单元的实现 | 第51-52页 |
| 5.2.3 电路仿真分析 | 第52-53页 |
| 5.3 内部运算放大器单元的实现 | 第53-58页 |
| 5.3.1 内部运算放大器指标确认 | 第53-55页 |
| 5.3.2 内部运算放大器设计 | 第55-58页 |
| 5.3.2.1 内部运算放大器线路结构设计 | 第55-56页 |
| 5.3.2.2 内部运算放大器线路实现 | 第56-58页 |
| 5.3.3 电路仿真分析 | 第58页 |
| 5.4 线路总体仿真情况 | 第58-60页 |
| 5.5 版图及修调设计 | 第60-63页 |
| 5.5.1 版图设计 | 第60-62页 |
| 5.5.1.1 版图设计及工艺控制中影响电压基准精度的主要因素 | 第60-62页 |
| 5.5.2 修调设计 | 第62-63页 |
| 5.6 流片及测试情况 | 第63-64页 |
| 第六章 结论和展望 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
