| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 1 文献综述 | 第12-35页 |
| 1.1 概述 | 第12-17页 |
| 1.1.1 锗的物理化学性质、用途及消费 | 第12-13页 |
| 1.1.2 镓的物理化学性质、用途和消费 | 第13-15页 |
| 1.1.3 镓、锗资源 | 第15-17页 |
| 1.2 固体物料中镓锗提取工艺 | 第17-25页 |
| 1.2.1 湿法工艺 | 第17-22页 |
| 1.2.2 火法工艺 | 第22-24页 |
| 1.2.3 火法-湿法联合工艺 | 第24-25页 |
| 1.3 溶液中锗、镓的富集方法 | 第25-32页 |
| 1.3.1 沉淀法 | 第25-28页 |
| 1.3.2 溶剂萃取法 | 第28-30页 |
| 1.3.3 离子交换法 | 第30-31页 |
| 1.3.4 吸附法 | 第31-32页 |
| 1.3.5 液膜法 | 第32页 |
| 1.4 研究背景、意义及研究内容 | 第32-35页 |
| 1.4.1 研究背景、意义 | 第32-33页 |
| 1.4.2 研究内容 | 第33-35页 |
| 2 试验方法 | 第35-44页 |
| 2.1 试验原料、试剂与仪器 | 第35-39页 |
| 2.1.1 试验原料 | 第35-37页 |
| 2.1.2 试验中主要设备及试剂 | 第37-39页 |
| 2.2 试验方法 | 第39-40页 |
| 2.2.1 常压浸出 | 第39-40页 |
| 2.2.2 高压浸出 | 第40页 |
| 2.3 分析与表征方法 | 第40-44页 |
| 2.3.1 溶液成分分析 | 第40-42页 |
| 2.3.2 固体物料成分等表征 | 第42页 |
| 2.3.3 浸出工艺指标计算 | 第42-44页 |
| 3 浸出热力学 | 第44-54页 |
| 3.1 金属—水系E-PH图 | 第44-49页 |
| 3.1.1 Ge-H_2O系 | 第44-46页 |
| 3.1.2 Ga-H_2O系 | 第46-47页 |
| 3.1.3 Fe-H_2O、Zn-H_2O、Cu-H_2O系 | 第47-49页 |
| 3.2 MexOy-H_2O系lg[Me]T—pH图及组元分布图 | 第49-53页 |
| 3.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 4 探索性实验 | 第54-59页 |
| 4.1 硫酸化焙烧—水浸法 | 第54页 |
| 4.2 钠化焙烧—水浸法 | 第54-55页 |
| 4.3 苛性碱浸出法 | 第55-56页 |
| 4.4 高压苛性碱浸出法 | 第56页 |
| 4.5 常压硫酸浸出法 | 第56-57页 |
| 4.6 高压硫酸浸出法 | 第57-58页 |
| 4.7 本章小结 | 第58-59页 |
| 5 常压浸出试验 | 第59-75页 |
| 5.1 添加助浸剂的浸出 | 第59-63页 |
| 5.1.1 硫酸浓度的影响 | 第59-60页 |
| 5.1.2 助浸剂(NaNO_3)的影响 | 第60-61页 |
| 5.1.3 浸出温度的影响 | 第61页 |
| 5.1.4 液固比的影响 | 第61-62页 |
| 5.1.5 时间的影响 | 第62-63页 |
| 5.2 联合添加表面活性剂和助浸剂的浸出 | 第63-71页 |
| 5.2.1 硫酸浓度的影响 | 第64-65页 |
| 5.2.2 浸出温度的影响 | 第65-67页 |
| 5.2.3 液固比的影响 | 第67-68页 |
| 5.2.4 浸出时间的影响 | 第68页 |
| 5.2.5 助浸剂NaNO_3浓度的影响 | 第68-69页 |
| 5.2.6 表面活性剂浓度的影响 | 第69-71页 |
| 5.3 单独添加表面活性剂的浸出 | 第71-73页 |
| 5.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 6 高压酸浸试验 | 第75-87页 |
| 6.1 硫酸浸出体系 | 第75-81页 |
| 6.1.1 硫酸浓度的影响 | 第75-77页 |
| 6.1.2 液固比的影响 | 第77-78页 |
| 6.1.3 浸出时间的影响 | 第78-79页 |
| 6.1.4 浸出温度的影响 | 第79-81页 |
| 6.2 硫酸与氢氟酸混合酸浸出体系 | 第81-82页 |
| 6.3 助浸剂强化硫酸浸出体系 | 第82-85页 |
| 6.4 本章小结 | 第85-87页 |
| 7 结论与建议 | 第87-89页 |
| 7.1 结论 | 第87-88页 |
| 7.2 建议 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-94页 |
| 硕士期间主要研究成果 | 第94-95页 |
| 致谢 | 第95页 |