基于电路模拟的单层吸波结构研究与设计
| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 第1章 绪论 | 第6-11页 |
| 1.1 课题的研究背景与意义 | 第6-7页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第7-9页 |
| 1.3 论文的研究内容和组织框架 | 第9页 |
| 1.4 论文的创新点 | 第9-11页 |
| 第2章 结构吸波的基本原理 | 第11-22页 |
| 2.1 频率选择表面（FSS） | 第11-12页 |
| 2.2 Floquet 定律的意义 | 第12-13页 |
| 2.3 Salisbury 吸波屏 | 第13-15页 |
| 2.4 Salisbury 吸波屏的频带响应 | 第15-17页 |
| 2.5 关于 Salisbury 吸波层的思考 | 第17-18页 |
| 2.6 Jaumann 型吸波层 | 第18-20页 |
| 2.7 Jaumann 型吸波层的解析算例 | 第20-22页 |
| 第3章 高阻表面的谐振特性 | 第22-34页 |
| 3.1 高阻表面概述 | 第22-24页 |
| 3.1.1 高阻表面的提出 | 第23页 |
| 3.1.2 高阻表面的结构类型 | 第23-24页 |
| 3.2 电磁带隙 EBG | 第24-25页 |
| 3.3 蘑菇状高阻表面 | 第25-26页 |
| 3.4 无过孔高阻表面结构 | 第26-27页 |
| 3.5 高阻表面的反射相位特性 | 第27-34页 |
| 第4章 基于介质基片的宽带吸波屏仿真 | 第34-47页 |
| 4.1 HFSS 仿真软件介绍 | 第34-35页 |
| 4.2 建立模型 | 第35-38页 |
| 4.2.1 基质与天线单元 | 第36-37页 |
| 4.2.2 介质层及边界条件的建立 | 第37-38页 |
| 4.3 仿真 | 第38页 |
| 4.4 优化 | 第38-44页 |
| 4.4.1 参数 l1 的优化 | 第38-39页 |
| 4.4.2 参数 l2 的优化 | 第39-40页 |
| 4.4.3 参数 d 的优化 | 第40页 |
| 4.4.4 w1 和 w2 的优化 | 第40-41页 |
| 4.4.5 R1 和 R2 的优化 | 第41-42页 |
| 4.4.6 样品与测试 | 第42-44页 |
| 4.5 基于天线理论的吸波屏设计 | 第44-47页 |
| 第5章 总结与展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第53页 |
