射频脉冲包络域测试信号设计方案与记忆核提取的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 课题的目的和意义 | 第10-11页 |
| 1.3 非线性器件表征技术发展现状 | 第11-15页 |
| 1.3.1 非线性参数化行为模型的发展 | 第11-13页 |
| 1.3.2 记忆效应研究的发展 | 第13-15页 |
| 1.4 本文的研究内容和结构 | 第15-17页 |
| 第2章 动态X-参数模型理论研究 | 第17-33页 |
| 2.1 记忆效应的含义 | 第17-20页 |
| 2.1.1 记忆效应的表现形式 | 第17-19页 |
| 2.1.2 记忆效应的产生原因 | 第19-20页 |
| 2.2 静态X-参数模型 | 第20-25页 |
| 2.2.1 静态X-参数模型理论 | 第20-24页 |
| 2.2.2 X-参数的测量提取 | 第24-25页 |
| 2.3 动态X-参数模型 | 第25-32页 |
| 2.3.1 动态X参数模型推导验证 | 第26-29页 |
| 2.3.2 宽带X参数模型 | 第29-30页 |
| 2.3.3 记忆核库的建立与调用 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 脉冲测试信号设计方案与实现 | 第33-51页 |
| 3.1 内调制信号设计方案 | 第33-34页 |
| 3.2 外调制信号设计方案 | 第34-45页 |
| 3.2.1 DDS原理与结构 | 第35-37页 |
| 3.2.2 DE2-70开发板简介 | 第37-40页 |
| 3.2.3 基于FPGA的基带信号设计 | 第40-45页 |
| 3.3 基于合路器的信号设计方案 | 第45-48页 |
| 3.4 三种方案的比较分析 | 第48-50页 |
| 3.5 本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 记忆效应仿真分析与记忆核提取验证 | 第51-65页 |
| 4.1 功率放大器记忆效应仿真 | 第51-56页 |
| 4.1.1 温度对功放静态特性的影响 | 第51-53页 |
| 4.1.2 双音激励下功放热学记忆效应仿真 | 第53-56页 |
| 4.2 记忆核的提取 | 第56-61页 |
| 4.2.1 记忆核提取过程 | 第56-58页 |
| 4.2.2 记忆核提取结果 | 第58-61页 |
| 4.3 记忆核的有效性检验 | 第61-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
