| 目录 | 第1-3页 |
| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第5-21页 |
| ·非挥发存储技术简介 | 第5-15页 |
| ·经典浮栅Flash技术及其发展瓶颈 | 第6-11页 |
| ·新兴非挥发存储技术 | 第11-15页 |
| ·电阻存储器的发展现状 | 第15-19页 |
| ·选题动机和工作概述 | 第19-20页 |
| ·论文框架结构 | 第20-21页 |
| 第二章 基于Cu_xO的RRAM电学性能可靠性研究 | 第21-39页 |
| ·Cu_xO基RRAM的样品制备及烘烤设备 | 第21-25页 |
| ·RRAM的数据保持能力及其失效机理 | 第25-37页 |
| ·Cu_xO基RRAM的Data Retention测试 | 第26-32页 |
| ·Cu_xO基RRAM的Retention失效机理模型 | 第32-37页 |
| ·本章小结 | 第37-39页 |
| 第三章 SET钳制电流装置引发的RRAM可靠性问题 | 第39-52页 |
| ·SET钳制电流的几种常用装置 | 第39-41页 |
| ·SET钳制电流对RRAM电学性能的影响 | 第41-47页 |
| ·SET钳制电流过冲现象及其诱因分析 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 硕士研究生期间论文及专利发表情况 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
